为什么PN结在重掺杂的延伸较小

不可以用玻尔兹曼分布描述的话就可以认为是重掺杂了再问：有些不懂哎不能有个大致的浓度范围吗再答：刘恩科《半导体物理》书里应有详细的介绍，有这时间看看书就都知道了

简单的说：掺杂浓度过高,杂质原子过于靠近,从而相互结合,这就减少了参与到PN结形成的杂质原子数量,从而造成PN结变窄.以下信息供参考理解用：晶体是由许多原子在靠近时,通过电子轨道相互重叠并“成键”后组

这是因为在耗尽层近似及杂质完全电离的性狂下,空间电荷由电离施主和电离受主组成.势垒区靠近n区一侧的电荷密度完全由施主浓度所决定,靠近p区一侧的电荷密度完全由受主浓度所决定.对突变结来说,n区有均匀施主

掺杂是针对杂志半导体而言,就是在本征半导体中参入3价或5价元素,使其成为向价带提供空穴的受主杂质或向导带发送电子的施主杂质.重掺杂就是参入的杂志浓度比较大.

齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内.由于掺杂浓度很高,PN结很窄,这样即使施加较小的反向电压（5V以下）,结层中的电场却很强（可达左右）.在强电场作用下,会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中

正向偏置电压再问：是否有称为导通电压。我是要问这个再答：确实有这种说法再问：换句话说压降就是电压低意思是把，因PN结特殊的结构才这样说的是吧再答：压降是电流通过元器件后发生的电压降低现象，但不是半导体

扩散运动是分子的热运动的宏观表现形式,载流子的浓度差导致其向浓度低的地方扩散

这是别人的回答：电场强度等于：掺杂浓度*宽度（e=nd*w）电势差等于：电场强度*宽度所以：电势差等于掺杂浓度*宽度的平方.产生的电势差一样时,高掺杂的掺杂浓度大,所以耗尽层宽度窄.我觉得也可以这么理

你可以这么理解,杂质的浓度提高个,这些杂质起不到载流的作用,所以载流子浓度就越小

半导体的掺杂,以硅为例.一般掺入三价的原子（如硼）使之成为P型半导体,或掺入五价的原子（如磷）使之成为N型半导体.从导电原理上讲,分别掺入低于三价的原子,或掺入高于五价的原子,也是可行的.为何不如此的

我来说明这个问题吧P极是没有电子的空穴N极是有电子的,N极的电子向P极运动,在NP的交界点周围产生正电场在P极因空穴向N极扩散也在PN交界点产生正电场当这两个方向相反的电场达平衡时就会阻止自已的电子和

就是在四价的半导体内加入导电的元素,比如在硅,锗中加入三价的硼或者五价的磷等来提高导电性,加入的愈多,半导体材料的导电性越强.以加入的比例不同分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂.

本征半导体的导电能力很低,因为他们只含有很少的热运动产生的载流子.某种杂质的添加能极大的增加载流子的数目,所以掺杂质的半导体导电能力好.例如掺有磷的半导体就是一种掺杂半导体.假设硅晶体中已掺入少量的磷

这是关系到pn结基本原理的问题,在一般的电路书籍中不会讲到.（1）“在高掺杂的情况下,耗尽层宽度很小”：由于耗尽层就是空间电荷区,其中的空间电荷主要是杂质电离中心提供的,因此掺杂浓度越大,电荷密度就越

在PN区交界处,扩散到P区的自由电子与空穴复合,而扩散到N区的空穴与自由电子复合,重掺杂区域复合较严重,而复合掉的电子有来自清掺杂区域

PN结并未变薄,但空间电荷区变窄.正向电压产生的电场削弱PN结空间电荷区电场,导致空间电荷区变窄.

概念上的问题首先,没有扩散能量这个概念,扩散是一种自然进行的动作,最终会达到动态平衡.而耗尽层宽度就取决于达到动态平衡状态的掺杂浓度.而耗尽层的宽度主要受到两种作用的影响,那就是多子的扩散和少子的漂移

扩散运动是指在热运动作用下,分子系有高浓度向低浓度扩散的趋势.而在外电场作用下电荷有定向移动的趋势.你仔细分析这两种趋势,不难得出结论.需要指出的是总的结果是两种作用综合而引起的,不要混淆就行了.我想

P区是空穴导电,加上相反电压,相当电子从P区进入,电子进入P区会填入空穴,使导电微粒（载流子）减少,PN结加宽,在PN结中,N区的自由电子填入了P区的空穴,使得PN结中导电粒子很少,电阻很大.P区电子

哎,空穴移动是怕后来的学生们不好理解,所以伟大的先行者加了这个概念.关键是由此产生的一堆公式都已经固化了,又不好一口气全部替换,所以只能硬啃了.但看楼主描述,楼主的智商比前人高.期待楼主日后想出更好的