为什么pn结击穿电压随掺杂浓度升高而降低?
来源:学生作业帮 编辑:神马作文网作业帮 分类:综合作业 时间:2024/09/24 06:20:47
为什么pn结击穿电压随掺杂浓度升高而降低?
齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内.由于掺杂浓度很高,PN结很窄,这样即使施加较小的反向电压(5V以下),结层中的电场却很强(可达左右).在强电场作用下,会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来,形成"电子一空穴对",从而产生大量的载流子.它们在反向电压的作用下,形成很大的反向电流,出现了击穿.显然,齐纳击穿的物理本质是场致电离.
采取适当的掺杂工艺,将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8~1000V.而齐纳击穿电压低于5V.在5~8V之间两种击穿可能同时发生
采取适当的掺杂工艺,将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8~1000V.而齐纳击穿电压低于5V.在5~8V之间两种击穿可能同时发生
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