大学电力电子选择题1,通态压降最大的器件是：A,IGBT B,MOSFET C,GTR D,SCR2,为使可靠关断,门极

来源：学生作业帮编辑：神马作文网作业帮分类：综合作业时间：2024/11/11 07:05:01

大学电力电子选择题
1,通态压降最大的器件是：
A,IGBT B,MOSFET C,GTR D,SCR
2,为使可靠关断,门极驱动常常需要加反压的器件是：
A,IGBT B,MOSFET C,GTR D,SCR
3,输出电压低于输入电压的斩波电路是：
A,BUCK电路 B,BOOST电路 C,CUK电路 D,SEPIC电路
4为实现输入电流正弦化,输入功率因数等于1,应采取的整流电路是：
A,全波整流 B,三相整流 C,相控整流 D,PFC
5.相控交流调压电路的主要缺点是：
A,可靠性低 B,开关损耗大 C,谐波严重 D,体积笨重

1.B MOSFET的通态电阻最大
2.D SCR是半控型器件
3.A BUCK为降压斩波电路
4.D PFC是有源功率因数校正,可是实现正弦化
5.C 相控交流调压电路的波形会发生畸变,功率因数不为1

大学电力电子选择题1,通态压降最大的器件是：A,IGBT B,MOSFET C,GTR D,SCR2,为使可靠关断,门极 GTO,GTR,电力MOSFET,IGBT的区别及应用场合? 求各推荐一款额定电流为10-20A,耐压600V的GTR ,IGBT,功率MOSFET.有型号即可电力电子技术试题GTO GTR MOSFET IGBT四种晶体管的优缺点请尽量稍微的详细点新型电力电子器件GTR,GTO,SIT,IGBT,MOSFET,SITH,MCT,IGCT的英文全称,和中文名是什么? 请问IGBT、GTO、GTR与MOSFET的驱动电路有什么特点电力电子 IGBT IGBT驱动 IGBT与MOSFET的开关速度比较? 电位器电压我的IGBT中频加热电源调功电位器的三端电压为,调小电位是C对B为0,C对A为7V,调到中心位置C对B为1V, 下列光学器件不属于凹透镜应用的是A放大镜B照相机C近视眼镜D穿衣镜、在GTO、IGCT和IGBT等全控型电力电子器件中选择其中一种全控器件,简述其外特性及其该器件的特点 mosfet与igbt区别