FET分压偏置电路电阻如何计算
来源:学生作业帮 编辑:神马作文网作业帮 分类:综合作业 时间:2024/11/11 17:15:51
FET分压偏置电路电阻如何计算
已知Ugs,Id,Uds,能否求解四个电阻,是否还有已知的默认取值条件,FET型号已知NE4210S01,
已知Ugs,Id,Uds,能否求解四个电阻,是否还有已知的默认取值条件,FET型号已知NE4210S01,
先说点晶体管放大电路的常识吧
任何晶体管放大电路温度都是敏感的,为了让温度对电路的影响减小到很小,但又要让电路达到你要求的指标,一般会让RS1上的电压在1V以上,单个晶体管的电流一般都是取在1mA左右,当然,2mA也行,反正都是在mA级别的
为了让电路的输出达到最大的摆幅,D极的电压,就是Rd下面那个点那的电压,一般设计在电源的中心,这样的话输出上摆下摆都会得到最大的幅度
假设,电源的电压是10V,设计输出的电流是1mA,输出的电压是中心电压,要设计RS1的电压是1V
现在计算Rd=UD/ID=5V/1mA=5K
根据场效应管的原理可知,ID=IS,那么,RS1=1v/1mA=1K
根据场效应管的原理可知,VS是比VG高0.25V
VG就是RG2上面的压降,
那么RG2上面的电压就是0.75V了,你只要设计一个分压电路,就是RG1和RG2分压,让RG2上面的电压是0.75V就得了,电阻的阻值都是在百K级别的就得了,场效应管是不用什么驱动电流的
这样电阻就计算出来了.
如果你觉得我说的很陌生,那就得到看一下场效应管方面的知识了
任何晶体管放大电路温度都是敏感的,为了让温度对电路的影响减小到很小,但又要让电路达到你要求的指标,一般会让RS1上的电压在1V以上,单个晶体管的电流一般都是取在1mA左右,当然,2mA也行,反正都是在mA级别的
为了让电路的输出达到最大的摆幅,D极的电压,就是Rd下面那个点那的电压,一般设计在电源的中心,这样的话输出上摆下摆都会得到最大的幅度
假设,电源的电压是10V,设计输出的电流是1mA,输出的电压是中心电压,要设计RS1的电压是1V
现在计算Rd=UD/ID=5V/1mA=5K
根据场效应管的原理可知,ID=IS,那么,RS1=1v/1mA=1K
根据场效应管的原理可知,VS是比VG高0.25V
VG就是RG2上面的压降,
那么RG2上面的电压就是0.75V了,你只要设计一个分压电路,就是RG1和RG2分压,让RG2上面的电压是0.75V就得了,电阻的阻值都是在百K级别的就得了,场效应管是不用什么驱动电流的
这样电阻就计算出来了.
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