关于模拟电路的问题导通角小,iD峰值越大.这个结论我感觉有问题如果单单从导通角的方面来想的话,导通角变小的确会让iD的峰

来源：学生作业帮编辑：神马作文网作业帮分类：综合作业时间：2024/09/29 05:30:17

关于模拟电路的问题

导通角小,iD峰值越大.这个结论我感觉有问题
如果单单从导通角的方面来想的话,导通角变小的确会让iD的峰值有增大的趋势,但是是否增大还是要考虑各方面因素的.
就比方说如果仅仅增大RL的话,电容放电的时间常数的确变大,也就是说二极管的导通角的确会变小.但是RL增大也意味着整流堆后面的负载会变大,这样意味着它会对流过二极管的电流有削弱的趋势,总体上来说iD的峰值是否变大这个是不确定的
也就是说“导通角小的话,iD峰值越大”,这个结论有些道理,但不完全正确..

分析上以负载电阻不变（因而输出功率变化不大）为前提更合理.在负载电阻不变的条件下,电容C越大,则导通角越小,iD峰值越大.
在电容C不变时,随着负载电阻的增大,输出功率和输出电流都减小,尽管导通角也减小,但iD峰值还是会减小.这点上课件的分析应该是有误的.
再问：很有道理，但有一点不很准确，我认为在一个周期之内变压器输出的能量变化不大的情况下，导通角越小，iD峰值越大，就是说在更小导通时间内还要输出同样多能量，iD峰值会变大还有，电容C的变化也会影响输出功率的吧？电容C变大=>电容上的电压有效值变大（充放电曲线变得平坦）=>电阻上的电压有效值会变大（并联关系）=>电阻一个周期消耗的能量更多=>变压器在一个周期内输出的平均功率会变大。。我说的有道理吗？
再答： 1、原问题显然是在探讨电阻电容变化对导通角的影响，是以变压器输出交流电压不变为前提的。 2、电阻电容的变化都会影响输出功率。你对电容变化影响功率的分析正确。
再问：原问题显然是在探讨电阻电容变化对导通角的影响，是以变压器输出交流电压不变为前提的。。这很对。。不过你想说明什么呢？
再答：想说明“在一个周期之内变压器输出的能量变化不大的情况”这个假设不成立。虽然变压器输出的电压不变，但输出的电流却取决于负载。

关于模拟电路的问题导通角小,iD峰值越大.这个结论我感觉有问题如果单单从导通角的方面来想的话,导通角变小的确会让iD的峰关于模拟电路的问题其他情况不变,在电容C增大的时候,导通角变小,峰值变大.我现在这样分析：由于电容C的增大,充放电常数会我来提一个小小的问题：请问HK,CD,ID,MBA,LG,RBC,AD,BC,CBA,BBC, EL表达式比较的问题${PAGE_BEAN_MAP[param.id].mg_state eq 1} 如果是1显示"可用请教bakery story和其他story的id问题如何才能确定自己是EMULE的HIGH ID还是LOW ID?如果是LOW ID,怎么样转为HIGH ID呢? 什么是ID?ID的含义是什么? 物理ID和逻辑ID的区别人在么想请教你一个C语言方面的问题还望不吝赐教 { if(bookid==B_temp[j].id) 这句该怎么解释 ID这个缩略词的含义? 模拟电路：虚短虚断的问题模拟电路三集管共射级的问题