神马作文网EMI滤波器磁环饱和本人最近在做三相1140V的矿用EMI滤波器,负载是变频器加电机,滤波器磁环用的铁氧体和超微晶,电流
来源：学生作业帮 编辑：神马作文网作业帮 分类：综合作业 时间：2024/11/11 01:40:28
EMI滤波器磁环饱和
本人最近在做三相1140V的矿用EMI滤波器,负载是变频器加电机,滤波器磁环用的铁氧体和超微晶,电流大概范围5A-100A,我想问关于磁环饱和是匝数绕多了饱和还是电流增大到一定程度就饱和了（超微晶直径大概12cm,铁氧体直径10cm）,还有和绕线粗细有关系么,如果绕线很粗会有什么影响,还有最后一个问题EMI测试的时候对电源本体有要求,就是电网质量要达到国标以下多少分贝,请问那个标准是多少啊,问的比较多,
本人最近在做三相1140V的矿用EMI滤波器,负载是变频器加电机,滤波器磁环用的铁氧体和超微晶,电流大概范围5A-100A,我想问关于磁环饱和是匝数绕多了饱和还是电流增大到一定程度就饱和了（超微晶直径大概12cm,铁氧体直径10cm）,还有和绕线粗细有关系么,如果绕线很粗会有什么影响,还有最后一个问题EMI测试的时候对电源本体有要求,就是电网质量要达到国标以下多少分贝,请问那个标准是多少啊,问的比较多,
共模磁理论上是不饱和的,饱和的原因为漏磁.
差模磁环饱和和电流大小、匝数,磁环本身参数有关,可以算下.不同的绕制方法影响漏磁,对饱和有一定影响.工业变频标准是IEC61000系列,有C1, C2, C3,可以看下,你的要求应该是C3的.
差模磁环饱和和电流大小、匝数,磁环本身参数有关,可以算下.不同的绕制方法影响漏磁,对饱和有一定影响.工业变频标准是IEC61000系列,有C1, C2, C3,可以看下,你的要求应该是C3的.