真空中,有一均匀带电细棒,长为L,电荷密度为-搜答案-神马作文网

E(r)【矢量】=0(rR),

ds面积上的电荷：q*ds/(4πr^2)所以电场强度大小为：E=[kq*ds/(4πr^2)]/r^2=kq*ds/(4πr^4)电场方向由圆心指向小面积ds.再问：你可能没理解意思问的是挖去了ds

正确的解法应该是完整均匀带电球面的电势（整个球体是等势的）减去ds上的电荷单独存在时在球心处产生的电势——kq/r-k[q(ds/πrr)]/r.你大概是没算kq/r而只算k[q(ds/πrr)]/r

由高斯定理可等效为球心点电荷,因此场强为sigma/4epsilon0,电势为r*sigma/2epsilon0再问：是这个答案再答：没错就是这个

两题均运用高斯定理,那个积分式打不出来就跳过直接下一步了,设圆柱半径R01．在带电圆柱内取半径为r,高度为l的圆筒形高斯面,有E·2πrl=ρπr²l/ε,得E=ρr/(2ε),rR0

用高斯定理做就可以球面的话r小于等于R时场为零,因为球面内部没有电荷分布,而球体的话如果是均匀带电球体内部是有场分布的再问：能告诉下具体怎么求吗？再答：

分情况考虑,当点r（PQ距离）＞R时,根据高斯定理（电通量φ=E*s=4πkQ）可知,P点所在以球壳球心为球心的球上各处电场相等,带电球壳对P点产生的电场等于球壳球心对其产生的电场,再由高斯定理推出E

电荷密度没打出来呢?比如分别为+σ1和+σ2.设电荷面密度为+σ1的为板A,电荷面密度为+σ2的为板B.A板产生的场强大小为E1,根据其对称性,对板A取一圆柱形高斯面,高斯面截面积为s根据高斯定理∮E

由高斯定理可得一无限大均匀电平面外电场强度是E=σ/2εσ1/2ε+σ2/2ε=2E0σ1/2ε-σ2/2ε=E0σ1/2ε=3/2*E0,σ1=3εE0σ2/2ε=1/2*E0,σ2=εE0再问：非

真空中无限长的均匀带电直线的电场强度E=λ/2πεox﹢λ在P1处的场强为λ/2πεod方向沿x轴正方向﹣λ在P1处的场强为λ/2πεod方向沿x轴正方向则叠加后Ep1=λ/2πεod+λ/2πεod

根据高斯定理,可得出电场分布E=q/4πεr²（rR)U=∫(q/4πεr²)dr+∫[﹙q+Q)/4πεr²]dr(两个积分区间分别为r—R和R—∞）最后即可求出U=1

若C先与A接触再与B接触，A的带电量为q2，B的带电量为12q−2q2＝−34q根据库仑定律得： C与A、B接触前：F=2kq2r2 C与A、B接触后：F1

需分两种情况讨论：一、C先和A再和B接触：接触后A、B的带电量分别为0.5q和1.25q（做两次平分易得）,加之距离变为原先的2倍,所以力变为原来的5/64（库仑定理）,即5F/64.二、先和B再和A

可以采用高斯定理,作一个以直导线为轴心,底面半径为R,高为L的圆柱封闭面,E×2πRL=ρL/ε.所以E=ρ/(2πRε.)

根据高斯定理解E=d/e0E为射出高斯体的“净”电场强度,d为面电荷密度,e0为真空介电常数.当高斯体包括两个板时,射出高斯体的“净”电场强度为E0*2/3,所以E0*2/3=(dA+dB)/e0.当

直接用高斯定理算得

请见图片,大学物理相关问题可以继续交流

用C跟A、B两小球反复接触后移开，则A的带电量与 B的带电量相等，均为q+8q3＝3q根据库仑定律得： C与A、B接触前：F=k8q2r2 C与A、B接触后：

无限长均匀带电圆柱面内外的电场强度分别为E=0,E=a/(2πεr)设有限远r0处的电势为零,则电圆柱面外部距轴线为r的任一点的电势为U=∫Edr(积分限r到r0)=a/(2πε)*ln(r0/r)圆

电球面