晶体管放大电路如图,已知Ucc=12-搜答案-神马作文网

（1）IB=(12-0.2)/400=0.0295mA （0.2：锗管Ube按0.2V计算） IC=0.0295*80=2.36mA UCE=12-2.36*3=4.92

这是放大线路设计公式Rbe是三极管B到E的内阻rbb是三极管基区体电阻RL是负载RC是集电极电阻AV是放大倍数Beta是放大倍数（就是那个和B一样的）Ri输入阻抗Rb是基极串入电阻R0是输出阻抗这个公

工作在饱和导通状态.忽略三极管的基极电阻,则Ib∽Vcc/Rb=0.1mA如果工作在放大状态,则：Ic=β*Ib=40*0.1mA=4mA而Ic的最大电流肯定是小于Vcc/Rc=3mA所以,三极管只能

静态分析：根据KVL定律Vcc=Ib*Rb+Vbe+Ve其中Ve=Ie*Re=（1+β）*Ib*Re,（这是因为集电极电流恰好是基极电流的β倍）所以Ib=（Vcc-Vbe）/（Rb+Re+β*Re）又

1问其实2．3．13d这个图是等效电路模型,电流方向怎样取都没有问题的,公式都能成立.因为等效模型中的参量是可以有负值的,所以我们应该定义这里讨论的,是真实方向.在文中下一页的对h参数方程2．3．7a

选择B,放大电路的输入信号不是由Ucc提供的……

（1）这是共集电极放大器,又叫射极输出器.（2）电压增益=(1+β)(5//5)/[rbe+(1+β)(5//5)]=101*(5//5)/[2.5+101*(5//5)=252.5/255=0.99

Ucc一般指双极型集成电路的电源电压,因为这类电路中用的是双极型三极管,cc就表示多个双极型三极管,对于cmos数字集成电路大都用Udd表示电源电压,因其内部用的是MOSFET,而Uce指的是三极管c

?再问：已经有了需要的可以找我呀、、、

1、饱和时Uce很小,就是饱和了0.3左右,截止时Uce很大,等于电源电压2、输入电阻有影响,偏置越大,越小,输出端的外界电阻改变了,输出电阻当然要变

增加集电极的负载电阻同时提高电压.换用HFE更高的晶体管.减小本级负反馈.

Ub=12×8.2/8.2+36Ue=Ub-0.7Ic=Ie=Ue/1KUce=12-Urc-UrcIb=Ic/βK1=2.5/1K2=2.5//12/1.再问：Ub=？不太明白呀！再答：Ub即基极电

这是典型的串联分压式电流负反馈放大电路,具体计算书上有很详细的步骤.这里问计算太麻烦了.把思路简单告诉你吧.用电阻分压公式计算出VB,然后计算IE=(VB-Ube)/Re,IB=IE/(1+β),IC

自己去谷歌搜

只要发射结正常导通,对于硅管Ube都是0.7.这只是理想的状态.反正接近就对了!

Ic=(15-0.3)/3000=0.0049(A)Ib=0.0049/40=0.0001225(A)Irb=(9+0.7)/20000=0.000485(A)Irx=0.0001225+0.0004

“放大”的本质是实现能量的控制,即能量的转换：用能量比较小的输入信号来控制另一个能源,使输出端的负载上得到能量比较大的信号.放大的对象是变化量,放大的前提是传输不失真.晶体管放大电路的作用是增加电信号

1、静态工作点：IB＝Ucc/RB＝0.05mA,Ic＝阝IB＝2mA,UCE＝Ucc－IcRc＝6V；2、电压放大倍数：Au＝－阝(RL//Rc)/rbe＝－100.

这个简单,看电容的位置就可以区分出来.从输出耦合电容的位置,可以明显区分出共集电极和共射极电路；如果电容从集电极上引出就是共射极电路；如果是从发射极引出就是共集电极电路；而共基极电路中明显的区别是基极