如图所示 边长为l的正方形前有一点光源

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/06 08:51:39
如图所示 边长为l的正方形前有一点光源
求如图所示,ABCG和CDEF分别为两个正方形,大正方形的边长为8厘米,小正方形的边长为6厘米,求阴影部分面积

(6+8)*8/2=566*6/2=18(8-6)*8/2=86*6+8*8=100100-56-18-8=100-82=18阴影部分面积18平方厘米

求如图所示,ABCG和CDEF分别为两个正方形,大正方形的边长为8厘米,小正方形的边长为6厘米,求阴影部分面积.

面积是18平方厘米.再问:请告诉我过程,O(∩_∩)O谢谢再答:详细过程:添加辅助线ce由题意所得,显然bg与ce平行因此有S△bge=S△bgc所以S△bge=S△bgc=1/2Sabcg=1/2*

如图所示,虚线框abcd内为边长均为L的正方形匀强电场和匀强磁场区域 能从PQ边离开

以R为半径交PQ于一点,下面成角30°则圆心角为150°,t=150/360T

如图所示,边长为L的正方形区域abcd内存在着匀强电场

1.Eq=maL=0.5at^2L=vtEk=0.5mv^2得E=4Ek/qL则根据动能定理得EK末=(1+4/qL)Ek2.同理Ek‘=Eqd+Ek,d为电荷运动的竖直距离d=0.5at^2Eq=m

如图所示,将边长为L的正方形闭合线圈以不同速度v1、v2匀速拉出磁场时(v1W1

(B功率)速度快感应电流大,P=I^2R当然大,(A功)U=LVBI=U/R=LVB/RW=I^2Rt=(LVB)^2*t/R=L*L*V*V*t*B*B/R注意到V*t=L,所以W=L*L*V*L*

北半球地磁场的竖直分量向下.如图所示,在北京某中学实验室的水平桌面上,放置边长为L的正方形闭合导体线圈abcd,线圈的a

A、线圈向东平动时,ba和cd两边切割磁感线,且两边切割磁感线产生的感应电动势大小相同,根据右手定则知,a点的电势比b点的电势低.故A正确.B、向北平动时,bc和ad两边切割磁感线,且两边切割磁感线产

15.北半球地磁场的竖直分量向下。如图所示,在北京某中学实验室的水平桌面上,放置边长为L的正方形闭合导体线圈abcd,线

解题思路:首先要明确磁场方向,我省位于北半球,地磁场的竖直分量向下.线圈运动时,切割磁感线,产生感应电动势,由右手定则判断电势高低和感应电流方向.当线圈转动时,根据楞次定律判断感应电流方向.解题过程:

如图所示,正方形的边长为2 求周长

2*2*3.14=12.5612.56*1/2=6.282*2*3.14*1/2.6.286.28+6.28=12.56

如图所示,A、B、C、D是边长为L的正方形的四个顶点,O是正方形对角线的交点.在A点固定着一个电量为+Q的点电荷,在B点

(1)电量为+Q的点电荷在O点产生的场强大小为:E1=kQ(22L)2=2kQL2,方向由O→C;电量为-2Q的点电荷在O点产生的场强大小为:E2=k2Q(22L)2=4kQL2,方向由O→B;根据平

如图所示,边长为L的正方形导线框abcd,在垂直于匀强磁场方向的平面内,

E没有抵消,而是叠加!两个电动势相当于两个电池串联,抵消的是F,没有力的作用.

如图所示,abcd是一个质量为m,边长为L的正方形金属线框,从图示位置自由下落

C,如果不计较繁琐的计算过程,按照解选择题的速度原则.思路如下:此处线框的一个边产生的电能=线框经过磁场区域时本应该增加的动能=经过磁场区域时减少的势能=mgl(能量守恒),但是每次线框有2个边要产生

如图所示,边长为L、总电阻为R的正方形导线框abcd放置在光滑水平桌面上,其bc边紧靠磁感应强度为B、宽度为2L、方向竖

图呢?没图咋看呢?大概的图像是位移是0的时候电动势是1/4BLv0位移在0-L电动势逐渐减小,是条斜率逐渐减小的曲线L-2L电动势不变,平行于x轴的直线2L处电动势发生突变,一下增大,然后逐渐减小,还

如图所示,在场强大小为 E 的匀强电场中,有一个边长为L的正方形区域,正方形的一条边与电场方向平行.质量为m、电荷量绝对

答案B,C,D.A中场强方向与初速度相反,初速度向右,那么可以画出电场线方向水平向左,右端带正点,而题目试探电荷为电子,必只受到一个向右的力,(该题重力忽略)所以向右水平运动.所以A错.B中场强方向与

如图所示,边长为L的正方形区域abcd内存在着匀强磁场.质量为m,电荷量为q的带电粒

设粒子的入射速度为v,粒子从a点到c点这一过程,由牛顿第二定律有:qE=ma,由运动学公式有:L=at^2/2,L=vt,设粒子在a点和c点的动能分别为Eka和Ekc,由动能定理有:qEL=Ekc-E

如图所示,正方形ABCD的边长为12,划分为12*12个小正方形格

解(1)依题意可依次填表为:11、10、9、8、7.(2)S1=n²+(12-n)[n²-(n-1)²]=-n²+25n-12.①当n=2时,S1=-22+25

如图所示,水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场.一个正方形线框边长为l(d>l),质量为m,电阻为R.

A、线框进入磁场过程磁通量增加,离开磁场过程磁通量减小,根据楞次定律,两个过程的感应电流的方向相反,故A错误;B、线框进入磁场过程和离开磁场过程磁通量都变化,根据楞次定律可以得到安培力是阻碍相对运动,

电磁感应题目:如图所示,abcd是一个质量为m,边长为L的正方形金属线框,从图示位置自由下落

BC设线圈刚进入第一个磁场时速度为V1,那么mgh=mV1²/2,V1=根号2gh设线圈刚进入第一个磁场时速度为V2,那么V2²-V1²=2ghV2=根号2V1.根据题意

如图所示,边长为L的正方形区域abcd内存在着匀强电场.

1、水平方向速度不变,竖直方向初速为0的匀加速.a到c的时间t=L/v0v=atL=1/2*a*t^2则:垂直速度v=2L/t=2v0动能=1/2*m*v0^2+1/2*m*(2v0)^2=5/2*m