均匀带电薄圆盘周围的电场公式

y=qUL²/2mdv²再问：这是偏转距离的，偏转角的呢？再答：y是偏转距离偏转角度公式是tanα=eUL/mdv²再问：是q不是e吧再答：哦，是q，还有那个V是入射的初

C的场强小于B的场强,因为B离圆盘更近.C点静止,说明电势能在C全部变为重力势能.B速度最大说明B点的电场力和重力持平.

【1】均匀带电球面,电场是对称分布的,高斯面的选取就选和带电球面同球心的球面,这样高斯面上的各点的场强大小相等,方向沿着球半径,也就是各点的球面法向方向.高斯面的电场强度通量Φe=∮E×dS（矢量积分

使用高斯定理,取一圆柱面,使之轴线与直细棒重合,按高斯定理有电通量Ψ=4πkq=q/ε0,Ψ=∮E·dS=E·2πrh,r为圆柱的底面半径,h为圆柱的高.又因为q=λh,所以E=λ/2πrε0=2kλ

用高斯定理做就可以球面的话r小于等于R时场为零,因为球面内部没有电荷分布,而球体的话如果是均匀带电球体内部是有场分布的再问：能告诉下具体怎么求吗？再答：

e=Qr/4π爱普戏弄零（R的三次方）（rR)v=3Q/8π爱普戏弄零R－Q（r的平方）/8π爱普戏弄零（R的三次方）（rR)

积分这个运算涉及两个要素,被积函数和积分区域,这两个缺一不可的.你所说的对场强求和所强调的是被积函数,即被积函数是场强关于r的函数,但是他说“对圆环积分”指的是该积分的积分区域,这个是非常重要的,因为

半径r,宽dr的圆环对距离为a的电场强dE=(kσ.2πrdr)/(r^2+a^2)a/(√r^2+a^2)所以总场强E=∫_0^R▒dE=kσπ.-2(t+a2)-1/2∣0R2=2kσ

例4．薄圆盘轴线上的场强.设有一半径为R、电荷均匀分布的薄圆盘,其电荷面密度为σ.求通过盘心、垂直与盘面的轴线上任一点的场强.把圆盘分成许多半径为r、宽度为dr的圆环,其圆环的电量为dq=σds=σ2

是相等的.我之前没细想,习惯思维,说错了.根据高斯定理可知是相等的.虽然距离远的点受到平面上的点的力更小,但是受到了平面上更大范围的点的力的作用的影响,加起来发现还是相等的.

取一半径为r,宽度为dr的圆环,带电量为dq=q/(πR^2)2πrdr=2qrdr/(R^2)以角速度ω旋转,相当于电流为dI=ω/(2π)dq=ωqrdr/(πR^2)在圆心处dB=dI/(2r)

在圆心r处取dr,则圆环的面积为2*pi*r*dr,则该部分对点得电场强度为k*(2*pi*r*dr/pi*a*a*q)/(r*r+x*x)*(x/根号下(r*r+x*x));然后从0到r积分,最后应

同学,你的思路不好.这题用Gauss'  Law(高斯定理)一步就能解决.如图再问：谢谢高斯定理这个方法明白，但我希望用微积分证明的的方法再答：此题用微积分算到最后是一个超

运用高斯定理的话,十分简单..将左式中的dS积分后移到右边,E=σ/2ε0（2ε0就是2）.但问题是你懂微积分不?

对.根据高斯定理E*2S=入*S/真空介质常量E=入/2*真空介质常量与距离无关的（仅限于无限大平面）相信我.希望能帮助你~!

产生的电场是匀强电场,场强大小为：E=σ/(2ε)

积分来算,为了把二重的面积分简化为一重积分,首先根据对称性,d处的场强方向是沿着圆心O和d点连线向外.设圆盘的面电荷密度是s,有s=Q/πR^2考虑圆盘上的一个半径是在r,r+dr处的细环带,它的电量

正确说法应该是：均匀带正电导体棒周围的电场线是以导体棒为中心的垂直于轴向的均匀的棒形同心等势圆.

感觉你对面元的理解不够.你觉得面元上有很多点,从每个点到K点的连线的方向都不一样.事实确实是这样的,但是面元是面积趋于0的单元,前述的“不一样”在计算的时候是可以忽略的,也就说面元上任意一点到K点的距

一个均匀带电球体的电场相当于把电荷集中在中心的点电荷产生电场一个均匀带电球体外包围一个的带电球壳.因为球对称性,直接对空隙用高斯定理,在空隙里的电场就是把内部球的电荷集中在中心的点电荷产生电场,在球壳