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用,在线翻译,word翻译的,无效.自己翻译的优先考虑采纳.
若本人觉得很满意,追加200分.
正文如下:
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IOP PUBLISHING
JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS
J. Phys. D: Appl. Phys. 41 (2008) 015005 (5pp)
doi:10.1088/0022-3727/41/1/015005
Effect of oxygen partial pressure on the
ferromagnetism of Cr-doped TiO2 films
Xiao Zhang, Weihua Wang, Luyan Li, Yahui Cheng, Xiaoguang Luo and
Hui Liu1
Department of Electronics, College of Information Technical Science, Nankai University,
Tianjin 300071, People’s Republic of China
E-mail: liuhui@nankai.edu.cn
Received 15 October 2007, in final form 9 November 2007
Published 12 December 2007
Online at stacks.iop.org/JPhysD/41/015005
Abstract
Polycrystalline Cr-doped TiO2films were fabricated by co-sputtering Cr and TiO2 targets in a
pure Ar and O2 mixture with various oxygen partial pressures. Ferromagnetism is observed in
all samples and the Curie temperatures are well above 390 K. The saturation magnetization of
films shows strong dependence on the oxygen growth pressure while keeping a constant Cr
concentration. The ferromagnetism is enhanced in the films deposited at lower oxygen
pressures which are thus oxygen deficient, indicating an important role of oxygen vacancies in
the ferromagnetic origin of Cr-doped TiO2.
(Some figures in this article are in colour only in the electronic version)
1楼的是软件翻译的

第一章
物理
D IOP出版的学报： 应用物理学
J. Phys. D ： Appl. Phys. 41 (2008) 015005 (5pp)
doi ：10.1088/0022-3727/41/1/015005
氧气分压的作用在哥斯达黎加被掺杂的
TiO2铁磁性摄制
肖?张, Weihua Wang, Luyan李, Yahui城, Xiaoguang罗和
电子,
学院信息技术科学, Nankai大学,天津300071,中华人民共和国
电子邮件的惠Liu1部门
： liuhui@nankai.edu.cn
接受了2007年10月15日,以最后的形式2007日在网上出版
12月12日2007日在
stacks.iop.org/JPhysD/41/015005 11月的9日
抽象
多晶的哥斯达黎加被掺杂的TiO2films由co飞溅哥斯达黎加和TiO2目标和O2混合物
在纯净的Ar制造以各种各样的氧气分压. 铁磁性在所有
样品被观察,并且居里温度很好在390 K.之上. 影片的饱和磁化
显示对氧气成长压力的强的依赖性,当保留恒定的哥斯达黎加
含量时. 铁磁性在影片被提高被放置以因而
是氧气短少的更低的氧气压力,表明氧气空位的一个重要角色在
哥斯达黎加被掺杂的TiO2的铁磁起源.
(有些图在这篇文章上在仅颜色在电子版本)
1. 介绍
从在室温铁磁性的发现上在
Co被掺杂的anatase TiO2 [1],这在所谓的spintronic设备有
成为的一个战胜的焦点在
材料学领域为转折金属被掺杂的被稀释的
磁性半导体(DMSs)的研究,由于他们
潜在的应用. 设备的这新一代有不挥发性
、更高的数据处理速度、更低的电力的消耗量
和增加的综合化密度的好处
,比较常规
半导体装置[2]. 迄今,许多努力为
查寻在宽被结合的二氧化物半导体被执行了高居里温度
(TC)铁磁性例如TiO2, ZnO和
SnO2,服用Co、Ni、哥斯达黎加、Mn和V [1-11]. 然而,
查寻高居里温度(TC)铁磁性在
宽被结合的二氧化物半导体例如TiO2, ZnO和
SnO2,服用Co、Ni、哥斯达黎加、Mn和V [1-11]. 然而,
变化在过程中在样品成长和岗位
成长期间互相使实验性结果相当
矛盾.当一些研究工作表明时
铁磁性在DMSs起源于次要
阶段金属在它成群[9, 10],其他小组报道
铁磁性是内在的以缺乏这样
沉淀物[1-8]. 理论上,几个模型
用于解释铁磁性用DMSs的不同的类型.
例如,经常被援引的Ruderman-Kittel-Kasuya-
Yosida (RKKY)类型为Mn解释的模型： GaAs DMS
根据sp-d交换在sp巡回载体
和转折金属掺杂的元素之间[12的]地方
d状态. Superexchange、双交换和交换通过
一定的磁性polarons (BMPs)也被祈求
解释铁磁命令在室温
[3之上]. 而且, Coey等[13]在氧化物延伸BMPs
入F中心斡旋的BMPs (FC BMPs)模型
解释高TC铁磁性.在转折金属被掺杂的DMSs之中,基于TiO2的
DMSs由于他们的特别多种潜在的应用
在光电探测器、催化剂、太阳能电池、消毒器具在
医院,防护涂层和透明举办的电极
广泛被学习了. 此外, TiO2 anatase结构的
格子是合理地搭配得不错的与Si,
做它一名头等候选人为未来综合化用基于Si的
设备[3]. 到现在,高TC铁磁性在基于TiO2的
DMSs一般认为一种内在现象
[13, 14].
并且它现在知道被掺杂的过渡金属的
磁矩强烈取决于准备
方法和条件,即使仍然没有确定
协议,关于DMSs磁性的本质
由不同的方法和不同的小组现在准备了.
最近,它被发现结构瑕疵在铁磁性的
起源在nano-和唯一水晶哥斯达黎加扮演一个重要
角色： TiO2 DMS系统[3,4]. 一定数量的
实验工作表示,有铁磁
行为和与氧气相关的点瑕疵之间的一种
接近的交互作用在基于TiO2的DMSs [15, 16].所以,
除理解铁磁性的微观起源以外
在DMSs,提供具体准备
情况和DMSs之间磁性行为的更加详细的
交互作用也是非常重要的.
在这项研究,多晶的CrxTi1 O2影片以哥斯达黎加
含量x = 0.05由co飞溅哥斯达黎加
和TiO2目标在一个纯净的Ar和O2混合物制造. 各种各样的
氧气分压(PO2)在哥斯达黎加被掺杂的TiO2影片
用于改变氧气空位的集中.
密切关系在铁磁性和氧气压力之间
被找到,表明氧气空位的一个重要角色在
哥斯达黎加被掺杂的TiO2铁磁性.
2.Experiment
多晶的Cr0.05Ti0.95O2 ?lms由co飞溅
哥斯达黎加(99.99制造 基体转动在30转每分钟在证言期间
,并且从目标的距离到基体约为
16 cm.TiO2目标的RF飞溅力量
被保留了在300 W. 影片在玻璃和kapton基体
被放置了为结构和磁性的测量
,分别. 基体温度被保留了
在400 ?С在证言期间.?lm厚度
被保留了在~200毫微米并且取决于Ambios XP-2TM
表面赞成锉刀. 作为这些样品构成和
生长率改变用不同的氧气压力,在
哥斯达黎加目标申请的dc飞溅力量必须被改变
在8-13 W之内为了得到用不同的哥斯达黎加含量
Cr0.05Ti0.95O2.36的有名无实的构成(
0.03