对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体,为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同?试加以定性分析

来源：学生作业帮编辑：神马作文网作业帮分类：物理作业时间：2024/11/12 07:24:52

半导体的迁移率随温度的变化,主要决定于两种因素：一是晶格振动散射,二是电离杂质散射.
晶格振动散射将使迁移率随着温度的升高而下降（T的负二分之三关系）；但电离杂质散射将使迁移率随着温度的升高而增大（T的二分之三关系）.
对于一般掺杂的半导体,迁移率在不很高的温度下即开始下降,这是由于晶格振动散射较早起作用的缘故；但是对于重掺杂半导体,迁移率将要到较高的温度时,晶格振动散射才开始起作用,因此也要在较高的温度时迁移率才开始下降,并因此重掺杂半导体迁移率的温度稳定性较好（但重掺杂半导体的迁移率绝对值较低）.详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明.

对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体,为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同?试加以定性分析掺杂的砷化镓半导体中电子的迁移率在杂质浓度很小和很大是如何随温度变化什么叫半导体的轻掺杂、中掺杂和重掺杂, 半导体物理中的重掺杂的概念? 室温下,硅掺杂质半导体是否存在最大电阻率?若存在,试求之（假设迁移率不随杂质浓度的变化而变化）掺杂半导体导电性随温度变化如何改变如题,懂的才来,本征半导体和掺杂半导体.后者和前者相比有哪些特点? 本证半导体的导电能力为什么不如掺杂半导体说有半导体的重掺杂,这个重有什么标准么,比如说掺杂浓度到那个量级半导体中的掺杂半导体分哪几种? 费米能级在半导体导电性能描述中的作用,它的变化情况和温度,掺杂等的关系又如何? 本征半导体的掺杂浓度的变化所引起的导电特性的变化