神马作文网测量三氯氢硅纯度及杂质用什么仪器
来源：学生作业帮 编辑：神马作文网作业帮 分类：化学作业 时间：2024/11/13 07:52:53
测量三氯氢硅纯度及杂质用什么仪器
为了满足高纯度的需要,必须进一步提纯.把工业硅粉碎并用无水氯化氢(HCl)与之反应在一个流化床反应器中,生成拟溶解的三氯氢硅(SiHCl3).
其化学反应Si+HCl→SiHCl3+H2↑
反应温度为300度,该反应是放热的.同时形成气态混合物(Н2,НС1,SiНС13,SiC14,Si).
（3）第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯,过滤硅粉,冷凝SiНС13,SiC14,而气态Н2,НС1返回到反应中或排放到大气中.然后分解冷凝物SiНС13,SiC14,净化三氯氢硅（多级精馏）.
（4）净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺,以高纯的SiHCl3在H2气氛中还原沉积而生成多晶硅.
其化学反应SiHCl3+H2→Si+HCl.
多晶硅的反应容器为密封的,用电加热硅池硅棒（直径5-10毫米,长度1.5-2米,数量80根）,在1050-1100度在棒上生长多晶硅,直径可达到150-200毫米.这样大约三分之一的三氯氢硅发生反应,并生成多晶硅.剩余部分同Н2,НС1,SiНС13,SiC14从反应容器中分离.这些混合物进行低温分离,或再利用,或返回到整个反应中.气态混合物的分离是复杂的、耗能量大的,从某种程度上决定了多晶硅的成本和该 3工艺的竞争力.
在西门子改良法生产工艺中,一些关键技术我国还没有掌握,在提炼过程中70%以上的多晶硅都通过氯气排放了,不仅提炼成本高,而且环境污染非常严重.
在“十一五”期间,为实现采用改良西门子工艺的多晶硅的产业化,建议开展下述课题研究：基于SiHCl3氢还原法的低电耗多晶硅生成反应器技术；干法回收中H2、HCl、SiHCl3、SiCl4混合气体大能力无油润滑加压装置；SiCl4氢化反应器进料系统控制技术装置；大型多侧线SiHCl3高效提纯技术装置；千吨级多晶硅生产系统自动控制组态技术.
其化学反应Si+HCl→SiHCl3+H2↑
反应温度为300度,该反应是放热的.同时形成气态混合物(Н2,НС1,SiНС13,SiC14,Si).
（3）第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯,过滤硅粉,冷凝SiНС13,SiC14,而气态Н2,НС1返回到反应中或排放到大气中.然后分解冷凝物SiНС13,SiC14,净化三氯氢硅（多级精馏）.
（4）净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺,以高纯的SiHCl3在H2气氛中还原沉积而生成多晶硅.
其化学反应SiHCl3+H2→Si+HCl.
多晶硅的反应容器为密封的,用电加热硅池硅棒（直径5-10毫米,长度1.5-2米,数量80根）,在1050-1100度在棒上生长多晶硅,直径可达到150-200毫米.这样大约三分之一的三氯氢硅发生反应,并生成多晶硅.剩余部分同Н2,НС1,SiНС13,SiC14从反应容器中分离.这些混合物进行低温分离,或再利用,或返回到整个反应中.气态混合物的分离是复杂的、耗能量大的,从某种程度上决定了多晶硅的成本和该 3工艺的竞争力.
在西门子改良法生产工艺中,一些关键技术我国还没有掌握,在提炼过程中70%以上的多晶硅都通过氯气排放了,不仅提炼成本高,而且环境污染非常严重.
在“十一五”期间,为实现采用改良西门子工艺的多晶硅的产业化,建议开展下述课题研究：基于SiHCl3氢还原法的低电耗多晶硅生成反应器技术；干法回收中H2、HCl、SiHCl3、SiCl4混合气体大能力无油润滑加压装置；SiCl4氢化反应器进料系统控制技术装置；大型多侧线SiHCl3高效提纯技术装置；千吨级多晶硅生产系统自动控制组态技术.