三极管放大电路反向偏置为什么ic电流能流过
来源:学生作业帮 编辑:神马作文网作业帮 分类:综合作业 时间:2024/11/15 15:15:42
三极管放大电路反向偏置为什么ic电流能流过
最好详细点 实在理解不了
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三极管工作在放大区时,发射结正偏,集电结反偏.
小 Ib 控制 大 Ic 与三极管结构有关.用NPN为例,发射极N区参入杂质较多,有较多的电子载流子,体积小,耗尽区窄.集电极N区杂质较少,但是体积大,耗尽区宽.
如此结构,在基极流过小电流时,也就是发射极的电子载流子流进基区,而集电结反偏,外部电场指向基区,会将流进基区的电子载流子大量吸入集电极,而只有少部分被加在基区的正向电压吸引,因为集电极反偏电压大于发射极正偏电压.这样,三极管结构的设计优势就体现了,大体积的集电区,可以收集大量电子载流子,发射极电子载流子浓度大可以发射大量电子载流子.
所以,只要正偏发射结有小电流流过时,反偏集电结就会有很大的电流流过.
不知道这样解释你明白没有.
再问: 虽然我前面读的都不是特别懂,我是这样理解的,是不是集电区会吸收发射区电子载流子。老师我只知道N是电子,p是空穴。老师你说的发射极N区参入杂质较多,有较多的电子载流子,体积小,耗尽区窄。集电极N区杂质较少,但是体积大,耗尽区宽。这我不怎么懂
小 Ib 控制 大 Ic 与三极管结构有关.用NPN为例,发射极N区参入杂质较多,有较多的电子载流子,体积小,耗尽区窄.集电极N区杂质较少,但是体积大,耗尽区宽.
如此结构,在基极流过小电流时,也就是发射极的电子载流子流进基区,而集电结反偏,外部电场指向基区,会将流进基区的电子载流子大量吸入集电极,而只有少部分被加在基区的正向电压吸引,因为集电极反偏电压大于发射极正偏电压.这样,三极管结构的设计优势就体现了,大体积的集电区,可以收集大量电子载流子,发射极电子载流子浓度大可以发射大量电子载流子.
所以,只要正偏发射结有小电流流过时,反偏集电结就会有很大的电流流过.
不知道这样解释你明白没有.
再问: 虽然我前面读的都不是特别懂,我是这样理解的,是不是集电区会吸收发射区电子载流子。老师我只知道N是电子,p是空穴。老师你说的发射极N区参入杂质较多,有较多的电子载流子,体积小,耗尽区窄。集电极N区杂质较少,但是体积大,耗尽区宽。这我不怎么懂
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