神马作文网匀强磁场磁感应强度B=0.2T，磁场宽度L=3m，一正方形金属框边长ab=l=1m，每边电阻r=0.2Ω，金属框以v=1
来源：学生作业帮 编辑：神马作文网作业帮 分类：物理作业 时间：2024/11/11 23:58:42
匀强磁场磁感应强度B=0.2T，磁场宽度L=3m，一正方形金属框边长ab=l=1m，每边电阻r=0.2Ω，金属框以v=10m/s的速度匀速穿过磁场区，其平面始终保持与磁感线方向垂直，如图所示，求：
（1）画出金属框穿过磁场区的过程中，金属框内感应电流的I-t图线．（要求写出作图依据）
（2）画出ab两端电压的U-t图线．（要求写出作图依据）
（1）画出金属框穿过磁场区的过程中，金属框内感应电流的I-t图线．（要求写出作图依据）
（2）画出ab两端电压的U-t图线．（要求写出作图依据）
（1）线框在进入和穿出磁场的过程产生的感应电流大小相等，
I=
Blabv
R=
0.2×1×10
4×0.2=2.5A，
进入与穿出穿出的时间：t=
l
v=
1
10=0.1s，
线框完全在磁场的时间：
t′=
L−l
v=
3−1
10=0.2s，
线框完全在你磁场中时，穿过线框的磁通量不变，感应电流为零，
由右手定则判断可知，进入过程中线框中感应电流方向沿adcba，为正方向；
穿出磁场过程中感应电流方向为abcda，为负方向，作出i-t图象如图所示．
（2）线框进入或离开磁场过程中产生的电动势：
E=Blv=0.2×1×10=2V，
电流I=
E
R=
2
4×0.2=2.5A，
进入磁场过程，ab两端电压：
Uab1=Ir=2.5×0.2=0.5V，
线框完全进入磁场过程，Uab2=BLabV=2V，
穿出磁场过程，Uab3=I•3r=2.5×3×0.2=1.5V，
则电压如图所示．
答：（1）I-t图象如图所示；
（2）U-t图象如图所示．
I=
Blabv
R=
0.2×1×10
4×0.2=2.5A，
进入与穿出穿出的时间：t=
l
v=
1
10=0.1s，
线框完全在磁场的时间：
t′=
L−l
v=
3−1
10=0.2s，
线框完全在你磁场中时，穿过线框的磁通量不变，感应电流为零，
由右手定则判断可知，进入过程中线框中感应电流方向沿adcba，为正方向；
穿出磁场过程中感应电流方向为abcda，为负方向，作出i-t图象如图所示．
（2）线框进入或离开磁场过程中产生的电动势：
E=Blv=0.2×1×10=2V，
电流I=
E
R=
2
4×0.2=2.5A，
进入磁场过程，ab两端电压：
Uab1=Ir=2.5×0.2=0.5V，
线框完全进入磁场过程，Uab2=BLabV=2V，
穿出磁场过程，Uab3=I•3r=2.5×3×0.2=1.5V，
则电压如图所示．
答：（1）I-t图象如图所示；
（2）U-t图象如图所示．
在磁感应强度为B=0.5T的匀强磁场中,有一个正方形金属线圈abcd,边长L=0.2m
（2012•长宁区一模）如图所示，匀强磁场磁感应强度 B=0.2T，磁场宽度 L=0.3m，一正方形
水平放置的两平行金属导轨相距L=0.25m,电池的电动势E=6V、内电阻r=0,电阻R=5Ω,匀强磁场的磁感应强度B竖直
宽度L=1m的足够长的形金属框架水平放置,框架处在竖直向上的匀强磁场中,磁感应强度B=1T,框架导轨上放置一根质量m=0
16．如图10所示：宽度L=1m的足够长的U形金属框架水平放置,框架处在竖直向上的匀强磁场中,磁感应强度B=1T
如图所示,光滑的金属导轨放在磁感应强度B=2T的匀强磁场中,金属棒ab长0.3m,电阻为5W,定值电阻R=1W.
电阻为R的正方形导线框,边长为l,在磁感应强度为B,方向水平享有的匀强磁场中,在t=0时,现况所在平面与磁场垂直,线框处
如图所示，在同一水平面上的两金属导轨间距L=O.2m，处在竖直向下的匀强磁场中，磁感应强度B=1T．导体棒ab垂直导轨放
如图所示,倾角θ=30°、宽为L=1m的足够长的U形光滑金属框固定在磁感应强度B=1T、范围足够大的匀强磁场
用长度为80cm电阻为8Ω的直导线做正方形金属框,放在磁感应强度B=5T的匀强磁场中,有一只 "0.1w 1v "的小灯
如图所示,有理想边界的两个匀强磁场,磁感应强度B=0.5T,两边界间距s=0.1m．一边长 L=0.2m的正方形线框ab
如图,匀强磁场的磁感应强度B=0.5T,边长为L=10cm的正方形线圈abcd共100匝,线圈电阻r=1Ω,线圈绕垂直于