半导体硅外延片与LED外延片有什么区别

来源：学生作业帮编辑：神马作文网作业帮分类：综合作业时间：2024/11/23 20:36:39

半导体硅外延片与LED外延片有什么区别

半导体硅外延片一般在硅衬底上外延生长硅薄膜,可以是P型或N型,属于同质外延,衬底和外延层失配小,成本低,通常使用PECVD、LPCVD等外延技术,用于制造硅半导体器件；
主流的大功率LED外延片最多使用的是蓝宝石衬底（也可以用SiC、GaN或硅衬底）,在上面外延生长III-V族化合物半导体全结构,属于异质外延.一般来说,从下至上包括缓冲层、n型GaN层、GaN或AlGaN pn结（有的含量子阱）、p型窗口层.LED外延片结构较复杂,技术难度大,成本高,使用的是MOCVD或MBE外延技术.
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