模拟电子技术中为什么“N沟道增强型MOS管中:uGD>UGS(th)即uDS>uGS-UGS(th)”?我感觉写反了吧?
来源:学生作业帮 编辑:神马作文网作业帮 分类:数学作业 时间:2024/09/25 03:29:58
模拟电子技术中为什么“N沟道增强型MOS管中:uGD>UGS(th)即uDS>uGS-UGS(th)”?我感觉写反了吧?
华成英的《模拟电子技术基础》辅导书《帮你学模拟》第23页
N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是:
”uGS>uGS(th)
且uGD>UGS(th)即uDS>uGS-UGS(th)“
uGD>UGS(th)不是等价于
uGS+uSD>uGS(th)
uSD>-uGS+uGS(th) 两边同乘负号
uDS
华成英的《模拟电子技术基础》辅导书《帮你学模拟》第23页
N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是:
”uGS>uGS(th)
且uGD>UGS(th)即uDS>uGS-UGS(th)“
uGD>UGS(th)不是等价于
uGS+uSD>uGS(th)
uSD>-uGS+uGS(th) 两边同乘负号
uDS
没有看过华成英的《帮你学模拟》.
但三个不等式中:
“uGS>uGS(th),且uGD>UGS(th)即uDS>uGS-UGS(th)”
中间的一个错了!
应为:uGD
但三个不等式中:
“uGS>uGS(th),且uGD>UGS(th)即uDS>uGS-UGS(th)”
中间的一个错了!
应为:uGD
模拟电路模拟题求助1. UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有( ). A. 结型管 B. 增强型MOS管 C.
4种MOS管的开启电压(P沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管,P沟道耗尽型MOS管,N沟道耗尽型MOS管)
N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么?
N沟道增强型MOS管构成的分压式偏置共源放大电路中栅极电流为0,那栅极...
N沟道增强型MOS管中假设使VGS大于开启电压,漏源两极的电压VDS开启电压,我不明白后面那两个式子是怎么得到的,我看的
求问MOS管中电子在N沟道中的迁移率
比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还有连接在衬底和源极...
结型绝缘型、P沟道N沟道、加强型耗尽型MOS管
电子电路的大神进上面电路为什么不能放大正弦交流信号?在直流通路下栅极接地,有什么影响?,另外答案说Ugs会大于0,这是为
mos管饱和问题当Vds增大后,书上说超过一定大小,则沟道被切断,再增加Vds,则不影响电流(不考虑沟道效应),我有两个
N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏
N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏?并且能修复?