氧等离子体实验.采用RIE方式刻蚀,气体只通氧气.刻蚀速率与哪些参数有关?腔体气压与速率的关系是?

来源：学生作业帮编辑：神马作文网作业帮分类：综合作业时间：2024/09/22 11:22:08

Etch Rate 与 RF Power,O2 Flow,Pressure都有关,气压越高,一般是Etch Rate越高,但是刻蚀的均匀性会变差.
但不知你是用O2刻蚀什么材料,可能也有所差别,因为O Plasma属于电负性气体
再问：就是用O2稍微处理一下氟聚合物，要尽量减少损伤，15mtorr的气压应该够低了吧？还有O2 Flow大概多少好呢？
再答：这么说你是做等离子体清洗了？这样的话，15mT应该差不多吧，流量你自己选择吧，只有能够控制住压力，应该就可以。为了减小损伤，功率不要加的太大，避免等离子体的轰击作用。不过，具体工作的配方需要自己调节，设备硬件不同，差别很大的。

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