为什么PN结的伏安特性与二极管的伏安特性不一样?
来源:学生作业帮 编辑:神马作文网作业帮 分类:综合作业 时间:2024/11/23 22:41:04
为什么PN结的伏安特性与二极管的伏安特性不一样?
能说的详细点么?二极管就是一个PN结,为什么会不一样?你是怎么检测的?
再问: 书上画的,下面还有一幅图
再答: 这个图是二极管在正向和反向电压工作下的电流特性,横轴是电压,竖轴是电流(指数图,正反单位不同)。 左边是负压(此时二极管起截止作用但有Is的流通量),流通量是微安级别(很小),U指的是电压,be是发射极和基极之间,就是说反向有一个Is的流通量,到达B处PN结被击穿(损坏,齐纳二极管除外)。 右边是正压,电流随着电压的增加而增加,单位是毫安。
再问: …两者是不是都有门坎电压呀,
再答: 嗯,是因为你的书上没有画出来,我给你一个图。 二极管是由一个门槛电压的,也叫结电压阀值,电流由P流向N的时候,电子由N流向P端的空穴,但PN结构造的通路并不如理论计算完美。 二极管的单向导电性并不是满足的,也就是说,当它被加上正向偏压的时候,他需要一个最小的电压才能导通,对于典型的硅二极管来说,至少需要0.6V以上的电压,否则二极管不导通,需要一个特定电压才能导通的这个特性看起来像是一个缺点,但事实上这个特性在二级管作为电压敏感开关的时候非常有用。锗二极管和硅二极管不同,通常要求一个至少是0.2V的正向偏压使其导通。
再问: 书上画的,下面还有一幅图
再答: 这个图是二极管在正向和反向电压工作下的电流特性,横轴是电压,竖轴是电流(指数图,正反单位不同)。 左边是负压(此时二极管起截止作用但有Is的流通量),流通量是微安级别(很小),U指的是电压,be是发射极和基极之间,就是说反向有一个Is的流通量,到达B处PN结被击穿(损坏,齐纳二极管除外)。 右边是正压,电流随着电压的增加而增加,单位是毫安。
再问: …两者是不是都有门坎电压呀,
再答: 嗯,是因为你的书上没有画出来,我给你一个图。 二极管是由一个门槛电压的,也叫结电压阀值,电流由P流向N的时候,电子由N流向P端的空穴,但PN结构造的通路并不如理论计算完美。 二极管的单向导电性并不是满足的,也就是说,当它被加上正向偏压的时候,他需要一个最小的电压才能导通,对于典型的硅二极管来说,至少需要0.6V以上的电压,否则二极管不导通,需要一个特定电压才能导通的这个特性看起来像是一个缺点,但事实上这个特性在二级管作为电压敏感开关的时候非常有用。锗二极管和硅二极管不同,通常要求一个至少是0.2V的正向偏压使其导通。