Vcc=12v,b=50,Ubeq=0.6v

首先明确电场线与等势线垂直,又这是匀强电场,所以AB中点U为1200,AC中点800.所以在AB上找800的那个店.根据几何关系有那个点在AB四等分点距A第三个点.找到这个点,与AC中点相连得到电场线

连接AC，将AC三等分，标上三等分点E、F，则根据匀强电场中沿电场线方向相等距离，电势差相等可知，E点的电势为3V，F点的电势为9V．连接BE，则BE为一条等势线，根据几何知识可知，DF∥BE，则DF

是40V,根据普通电工学的内容,电位是相对的,电压是绝对的.一般计算就是A点电位减去B点的就可以了

假设都在恒流放大状态硅管Ube=0.7V锗管Ube=0.3V题目中接近的电压均相差0.7V所以都是硅管NPN类型集电极Uc端的电压最大,基级Ub电压第二,发射级Ue电压最小,且基级大于发射级0.7VP

UAB=UA-UB=20-(-20)=40V选D

Ub=R1/(R1+R2)VCC这个算式的写法应该是Ub=VccR1/(R1+R2)吧.其含义是：电阻R1、R2串联电路中,电阻R1两端的电压,式中Vcc是电源电压,R1/(R1+R2)是分压比例.这

你的VCC只有+5V,扣除集成块输出口必然的压降,输出的最高电平只能达到4.24V很正常（输出管已经饱和了）.如果需要输出更高的电压,应该将电源电压升高,且升高到比需要输出的最高电压高出1V以上,才能

如上图所示：因为：AB压差为12V,DC压差为12V,所以垂直方向的电压差为12V.因为：AD压差为6V,BC压差为6V,所示水平方向的电压差为6V.因为：ABCD构成正方形.因为：电场为矢量.所以：

图没画好.再问：--亲。你难道不知道要把cm换成m吗、再答：不好意思^^!回答满意吗？能给分吗？亲……

如图,在点电荷Q产生的电场中,有三个等势面a、b、c.Ua＝30V,Ub＝20V,Uc＝10V,则点电荷Q所带的是电荷（正）.若一带电粒子q射入电场后只受电场力,结果沿KMN路径穿过电场,则粒子所带是

1.顺着电势的方向,电势是逐渐减小的,所以Uab=Ua-UbUb-Ua得到的是个负值,而这里只需要求大小,就像是两地间距离,哪个减哪个都行,主要求出差值.2.△x一般也是求差值,也是大小3.做功的过程

a--发射极b--基极c--集电极NPN型硅管

(D)该电路的电位无法判断.因没显示10V或5V的负极谁是0V参考.

1,直流电路如图2,先求B点电压,VB=Rb1*Vcc/(Rb2+Rb1)VB=UBEQ+(1+β)IBQ*Re,1+β约为βIBQ就求出来了,然后ICQ=β*IBQ,求得ICQUCEQ=Vcc-IC

由于Vcc为5V,当A、B任一端为0V时,由于D1或D2,或两者都处于导通状态,基于其导通压降只有0.7V,所以Y点电压都将被钳位于0.7V；当A、B两端同时处于3伏时,虽然两二极管还是一样处于正向导

只看交流部分,电路的微等效电路可以变成这样.Ui=Ib*rbe+（1+β）Ib*REUo1=-β*Ib*RcUo2=（β+1）*Ib*RE rbe很小,可以忽略不计Au1=-β/(1+β)A

LZ基极电位这样算是不对的,应该这样算：假定基极电位为Vb,基极电流为Ib,则发射极电流为Ie=（1+50）Ib=51Ib,Ure=51Ib*Re,则Vb=0.7+Ure=0.7+51Ib.流过RB2

.PNP,锗管UA为集电极电压,UB为基极电压,UC为发射极电压,此三极管为pnp形管；UB与UC相差0.2V--锗管;一般pnp三级管发射极接电源正极,集电极接电源负端,基极偏压对集电极也是负端,也

已知：UAB=-20V,UB=40V,则UA=（20）V.已知：UA=-30V,UB=20V,则UAB=（-50）V.已知：UD=60V,UC=30V,则UCD=（-30）V.

接地是取一个参考点.就像海拨高程一样,不选一个基准点（吴淞口）你能知道你所处的位置在什么高度吗?再问：那接了地对整个电路回路有影响吗？电会不会流到地下？接地的点是不是0v？再答：接地对回路没影响，而且