vcc2,β=25,uces=0.3v.

tanβ/2=sinβ/（1+sinβ）=（1-cosβ）/sinβ题目大概有问题,（1+sinβ）应该为1+cosβtanβ/2=sinβ/（1+cosβ）=（1-cosβ）/sinβsinβ/（1

Ui=0.3  Ube=0.7v,Ui<Ube,截止,U0=Vcc=5v  2.Ui=1     Ube

因为电源电压12伏加在两个三极管上面,在两个发射极连接的地方是二分之一电源电压.T1导通T2截止时V0=6伏左右,T2导通T1截止时,电容器C代替电源电压对RL放电,该点电压仍然是二分之一电源电压6伏

otl电路供电上下管可以看做是串联的,上下管工作时只在一半电压下工作,输出中点电压在电源电压一半,1/2-Vce只是最大可输出电压,实际上不失真电压（10%失真以下下）,输出电压只有（1/2-Vce）

请问当三极管刚刚饱和时,就是临界饱和状态,Uce=Ube,管压降Uces,Ubc=0,测量发射机和集电极之间电压当然是Uce咯.不会变的.再问：谢谢啊！可是共射级时Uces和Uce是不是一样呢？？再答

经计算,该电路在u1=-2.58V时处于临界饱和状态,现U1=-5V＜-2.58V,所以处于饱和状态,于是：U.=-0.1V(即饱和压降).稳压管的作用是限制U.≮-5V,现U.=-O.1V＞-0.5

问什么呢?现在看此电路不能正常放大,做整形或波形变换还可以.再问：试问：当uI＝0V时uO＝？当uI＝－5V时uO＝？再答：当uI＝0V时uO＝-5v。当uI＝－5V时uO＝-0.1V.因为T饱和了。

最大功率为T1或T2饱和时的功率,Pom=（Vcc-Uces）*（Vcc-Uces）/Rl效率为：Vces*I/Vcc*I*100%=Vces/Vcc*100%晶体管的最大功耗PTmax=Uces*I

6-0.3=5.7选B再问：不过为啥答案是2V呢？再答：题目缺个条件----电源电压，所以按通常情况（静态工作点为1/2电源电压）估算来选B。电源电压低于12V则A、B、C都不符合要求，只能选D。再问

我用A来表示那个角了sinAcosA(tanA+cotA)=sinAcosAtanA+sinAcosAcotA=sin²A+cos²A=1参考公式：cosAtanA=sinAsin

对于单电源的这个OTL乙类互补对称电路,集电极最大电流是该电路能够输出的最大电流,对于三极管,当它饱和时,CE压降最小,也就是你的公式中提到的UCES（饱和的UCE）,这个时候三极管进入非线性工作区（

1/tana+1/tanb=(tana+tanb)/tanatanb=30tanatanb=5/6tan(a+b)=(tana+tanb)/(1-tanatanb)=25/(1-5/6)=150由于希

电容电压是10V,输出功率8W再问：怎么算的再答：OTL电路输出电容的电压就是电源电压的一半，然后功率P=[(Vcc-2Uces)/2]∧2/RL

证明：tan(x+β)=sinβ/(cosβ-A)cosβtan(x+β)-Atan(x+β)=sinβcosβsin(x+β)/cos(x+β)-Asin(x+β)/cos(x+β)=sinβcos

这个问题不能一概而论取决於半导体的材料Si(0.5-0.7)Ge(0.2-0.3)还有其他化合物半导体当工作在截止区时Ic为微安或纳安级,必要时是必须考虑,一般忽略希望对你有所帮助

sinβ=sin（α+β-α）=sinβ=sin（α+β）cosα-cos（α+β）sinαsinβ=sinαcos（α+β）所以sin（α+β）cosα-cos（α+β）sinα=sinαcos（α

ICM是三极管的极限参数,意思是集电极可以承受的最大电流.Vcc/RL是实际电路中可能出现的最大电流,当然ICM要大于Vcc/RL.

4sin²β-3sinβcosβ=4(1-cos2β)/2-3/2*sin2β=4-2cos2β-3/2*sin2β=4-2*(1-tan²β)/(1+tan²β)-3/

三极管在饱和区工作时集电极与发射极之间的饱和压降是0.7V

cos2a=2cos²a－1=7/25cos²a=16/25因为a∈(0,π/2),则cosa>0,sina>0则：cosa=4/5,sina=3/5又：sinb=－3/5且β∈(