一个长为l的均匀带电细杆其电荷线密度为λ在杆的延长线上与杆的一端距离为a

我是假设电荷是同种的、异种的同理简单推一下就行、首先在距离左棒X出左棒产生的电场强度E为1／4πε∫dQ／r²、对于空间中距离左棒右边的点距离为R处电场强度E=1／4πε∫λdx／x²|(l+R)_l积分的E=λ／4πε

供参考.

点电荷q在距离它r处的电势u=kq/r,k=1/(4πε),ε是真空介电常数.半圆环上任一线元dl上的电荷λdl都相当于一个点电荷,它在圆心处的电势dU=k(λdl)/R.半圆上所有线元上的电电荷都产生同样的电势,而且电势是标量,直接代数求

请见图片,大学物理相关问题可以继续交流

E1=λ1/(2π*ε0R1）,E2=λ2/(2π*ε0R2）,E1-E2=λ1/(2π*ε0R1）-λ2/(2π*ε0R2）=0；R1+R2=d,解得：R1=λ1d/(λ1+λ2)

使用高斯定理,取一圆柱面,使之轴线与直细棒重合,按高斯定理有电通量Ψ=4πkq=q/ε0,Ψ=∮E·dS=E·2πrh,r为圆柱的底面半径,h为圆柱的高.又因为q=λh,所以E=λ/2πrε0=2kλ/r.

弱弱得问一下、你学过电场的高斯定理吗?学过的话就好办、没学过的话还要解释一下高斯定理的证明再问：高斯定理正在学习中，所以就遇到了这个问题再答：哦哦、、我刚刚仔细想了想、这题还真不好办、是求圆环所在明面内各点场强还是空间各点？貌似不能用高斯定

这里不好书写,帮你找到了一个地址：这里边的例题8-7,具体解答了你的题目,只不过它的电荷线密度字母不是用a表示.

E(r)【矢量】=0(rR),

外磁场为零,内磁场为B_r=1/2μ_0pw(R^2-r^2),其方方向与角速度方向相同.其中R为圆柱半径,B_r为距离轴线距离为r处的磁场的强度.

电荷密度没打出来呢?比如分别为+σ1和+σ2.设电荷面密度为+σ1的为板A,电荷面密度为+σ2的为板B.A板产生的场强大小为E1,根据其对称性,对板A取一圆柱形高斯面,高斯面截面积为s根据高斯定理∮E1ds=Σq1/ε0∮E1ds=E1*2

以球心为原点建立球坐标系.设场点据原点的距离为r1对于球外的场点,即r>R时,可直接使用高斯定理求解.ES=P/ε,其中S=4πr^2整理得：E=P/4πεr^22对于球内的点,即

本结论可运用高斯定理解.高斯定理：通过某一闭合曲面的电通量等于该闭合曲面内所含电荷量的4π(圆周率)K倍.即：φ＝4πkQ其中ES=φ（E为场强,S为正对面积）取无限大平板上一小面积s则有：E=4πkQ/2s(闭合曲面内,该板同时向上下2个

解析：1)导体棒处于静电平衡时内部场强处处为0,故金属杆中点处场强为0.这个第一问有点让人容易产生错觉,以是杆的中段部分.这里说的是中点,即杆的几何中心,那这个几何中心当然是在杆的内部那个O点,所以由静电平衡可知,中心处的场强为02）第二问

在直线段上取一个长度l,再取一小段线长为dl,则dl所带的电荷dq=λdldV=dq/4πε0(l+x)=λdl/4πε0(l+x)V=∫(0~L)dV=∫(0~L)λdl/4πε0(l+x)=λln[(l+x)/x]/4πε0

我这画图不方便,我尽量用文字解释清楚：假设圆环半径为R,那么该带电体的长度是πR/2.电荷的线密度为A,那总电量就是πRA/2了.假设将该圆环置于圆心的正左侧,那么它占据的就是左下45°到左上45°这个弧.显然上下方向的场强会相互抵消掉,你

高斯定理,先考虑某一根导线产生的电场以某一根导线为圆心作高为h,半径为2a的圆柱面对称性可以知道电场只能垂直于侧面因此高斯定理：E*2*pi*2a*h=h*λE=λ/(4*pi*a)那么单位长度的令一根线收到的力f=-λ*E=-λ^2/(4

可以采用高斯定理,作一个以直导线为轴心,底面半径为R,高为L的圆柱封闭面,E×2πRL=ρL/ε.所以E=ρ/(2πRε.)

采用高斯定理,建立坐标积分求解.（电势和场强）.问题是求什么?求相互作用力,还是场强?或者电势?

若为高中知识有技巧,可利用特殊点或对称性解决,但就本题而言只能用大学数学定积分解决.你可以选L上的一小段微积分变量,从d积到s+L,f(x)=ky/(d+x*x)*(d+x*x)d(x),y为拉姆达.即为结果.