锗管的导通电压是多少-搜答案-神马作文网

将万用表置10伏直流电压档,红表笔接二极管正极,黑表笔接二极管负极,这时万用表指示的电压就是二极管的导通电压,大概在0.5伏左右.

电源线规格应该以截面积表示,例如0.50.751.01.5,单位是平方毫米.准确计算它的电阻,应该以下列公式计算：R=p*L/s.式中,R--是电阻,单位是欧姆；p--是电阻率,L--是线长度,单位是

这玩意是个非线性的元器件,单独问电压或者电流是没有任何意义的.它的数据手册上给出了最高电压、最大电流,但这两者是不能同时满足的.例如,它的输入压降为1.1.4V,但前提是,输入电流=20mA,也就是说

在导通情况下,用万用表测量电阻值是不准的.根据戴维南定理,二端口网络的电阻是两个支路电阻的并联值.因此,要串个万用表测电流,在导通情况下,再使用另一个万用表测量其Vds.电阻等于电压除以电流.当然,这

粗略测量:设计一个电阻串联MOSFET的电路,给一个恒压源.设计电阻阻值来限制电流,测试MOSFET两端压降U/I=R

你要多小才算很小?5mR以内?20mR以内?再问：10M以内，你知道哪些？再答：只要型号名称里面带7580的，就肯定是10mR以内的，另外8580也是，这些比较容易买。

基极电流=-50mA,集极电流=-500mA时,集、射极跑和电压不会高于-0.5V

PNP三极管导通条件是当给它通电时（通电如何通你知道么,就是E加电源电压,如5V,C极过一限流电阻接地）,那么如果你给控制端即B极一个低电平,此时就可以导通,导通电压（即CE间电压）至少小于0.2V,

导通电压不重要吧,别击穿就行.这个三极管我没听过,先判定他的类型,NPN还是PNP还是别的你看http://hi.baidu.com/from%5Fice/album/%C4%AC%C8%CF%CF%

三极管的导通电压是不确定的,因为它是电流控制元件.对于硅三极管,集电极和发射极间的饱和导通电压为0.3V左右,对于锗三极管,集电极和发射极间的饱和导通电压为0.1V左右,但是如果不是处于饱和区而是出于

UBE=?UCE=?看是锗管还是硅管,锗管UBE0.3V,硅管0.7V,UCE要看具体情况了

IRF540N的导通起控电压为2-4V,GS极之间最高电压不能超过20V,质量较好的管子GS加6-8V就已经饱和导通（内阻最小）,所以使用时如果有脉动或尖峰电压时

采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.PN结（PNjunction）一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是P型半

硅的是0.7v,锗的是0.5v

这些一般都是标准的,可以直接查手册得到.DN200的管子外径一般为φ219的.

占空比不变,频率降低,对于PWM波来说,输出的有效值并没有降低.MOS是电压控制器件,既然栅极的电压和电路其他器件没有变化,导通电流有什么理由变化呢?

aa8550可以用这个试试

导通电流增大.因为随着温度的增高,二极管的伏安特性曲线左移.

把这个1K的电阻换成1K的功率电阻不行,效率太低了.可将1K增大到10K,200增大到2K,这样基本就行了.