金属薄膜电阻率的测量试验中为什么要测量同一电流下的正反向电压

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/13 20:20:32
金属薄膜电阻率的测量试验中为什么要测量同一电流下的正反向电压
(2014•河东区二模)有一金属电阻丝的阻值约为20Ω,现用以下实验器材测量其电阻率:

(1)电源电压为3V,所以电压表选择B,电路最大电流约为I=ER+r=320+0.5=0.15A,所以电流表选择C,为方便实验操作,滑动变阻器的范围不能过大,应选F;(2)由图示螺旋测微器可知,固定刻

金属银的电阻率是多少?

0°c时:1.47×10^-8Ωm18°c时:1.58×10^-8Ωm

为什么纯金属的电阻率比合金的电阻率小

最大的区别就是合金的分子结构彻底打乱,然后重新排列,其重新排列后的分子间隙更小,这样电流不容易通过,可以想向一下,如果河道里填一些石头,水流量肯定会减小,变得缓慢,同样的道理,合金分子间隙变小,电流不

用四探针法测量金属薄膜电阻率时可能产生误差的根源

我做过那个实验,并且有相关的ppt,要的话联系vis9@eyou.com

为什么金属薄膜厚度越厚金属薄膜电阻率越小

单位时间内横截面上流过的电子越多电流就越大相同材料的薄膜厚度越大很截面积越大单位时间内通过的电流越大(这是表面现象)电导率就能看出来比薄的大电阻率小很直观的想法就是类比水流假设单位面积在单位时间流过的

在金属电子逸出功的测定试验中,测量时每改变一次灯丝电流为什么要预热几分钟再测量数据?

测量时每改变一次灯丝电流,要预热几分钟,是因为灯丝电流变了以后,它的温度也要改变,但是要过一些时间温度才能稳定下来,这时其金属电子逸出也稳定了,这样的测量才有意义啊.

迈克尔逊干涉仪试验中薄膜厚度对条纹间距的影响?

薄膜厚度约大,光程差越大,光程差越大,条纹间距越密集!

在“测定金属的电阻率”的实验中,用螺旋测微器测量金属丝直径时的刻度位置如图所示;金属丝的电阻大约为4Ω.先用伏安法测出金

解题思路:从螺旋测微器的读数结合伏安法测电阻的原理去分析考虑。解题过程:最终答案:

“测定金属的电阻率”的实验中,以下操作中正确的是______.

A、应测量出金属丝连入电路的有效长度三次,求平均值,而不是全长,故A错误;B、为了减小实验误差,应用螺旋测微器在金属丝三个不同部位各测量一次直径,算出其平均值,B正确;C、金属丝电阻很小,与电压表内阻

模型试验中地形测量的仪器?

水下地形测量一般都用测深仪

工频耐压试验中,试验电压的测量,为什么应尽量在高压测量试验电压?

这是为了尽量真实地反映测试电压.测试仪器输出的高压,无论采取的是什么升圧方案,都有可能在测试设备内部的升圧环节出现故障和意外,如果不是直接对高压进行测量和观察,就不能真实反映测试设备实际输出的电压值.

怎样测定金属的电阻率

先用伏安法测出金属的电阻R再用螺旋测微器测出金属丝的直径D然后用刻度尺测出金属丝长度L根据公式R=(电阻率*L)/SS为横截面积,用直径D可以算出来所以电阻率=SR/L

在测金属逸出功试验中,测量阳极电压的电压表为什么那样接

亲,知道答案了告诉我一声哦,我这周三要交啊

四探针法中,方块电阻就是表面电阻率吗?可以采用这种四探针法直接测试薄膜的表面电阻率吗?

方块电阻就是表面电阻率.可以四探针法直接测试薄膜的表面电阻率.计算公式:方块电阻(或表面电阻率)R=4.532*V/I.其中,V是探针2-3间的电位差;I是探针1-4间的电流.

金属电阻率与半导体电阻率的本质差别

第一中可以理解为线性的,但半导体就是非线性材料~!

金属薄膜电阻率测量实验为什么要求测量同一电流状况下正反电压

因为电压很小容易受到温差电动势等等的干扰其中一大部分反向后会抵消

怎么测量半导体薄膜的电阻率

测量半导体电阻率的方法很多,按是否与样品接触可以分为两类,即接触式和非接触式.常用的电阻率测量方法有直接法、二探针法、三探针法、四探针法、多探针阵列、扩展电阻法、霍尔测量、涡流法、微波法、电容耦合C-

可以采用四探针法测试出薄膜的电阻率,然后根据电阻率计算电导率吗?

原理过程:先测出薄膜的表面电阻率(方块电阻);再根据薄膜的厚度等因素,计算出薄膜的电阻率;再计算出薄膜的电导率.(是否为“质子电导率”,要有补充条件来说明)再问:方块电阻就是表面电阻率吗?可以采用这种

模拟静电场中为什么导电介质的电阻率要远大于电极的电阻率?若导电介质的电阻率不均匀对测量结果有什么影响

导电介质的电阻率大,使得导电介质的电阻相对来说变得更大,电势的变化就更集中在导电介质上,我们画出的电势的变化曲线就更均匀,否则会导致电势变化集中到电极附近,会使得得到的图像密集,增加了测量难度和测量精