N型半导体

根据加磁场后形成的电场方向判断半导体的类型.由于空穴和电子带电性不同,给一块未知类型的半导体施加恒定的电流,半导体内的空穴运动方向与电流方向相同,电子运动方向与电流方向相反.再给这块半导体施加一个垂直

化学元素周期表中3主族元素为受主杂质,5主族为施主杂质.半导体中受主杂质占主导地位为P型,施主杂质占主导地位为N型

双极半导体是指半导体器件中包含p型和n型两种半导体.P型半导体指半导体中掺入三价元素杂质,如硅中掺入杂质硼,这样的半导体中多数载流子是空穴；N型半导体指半导体中掺入五价元素杂质,如硅中掺入杂质磷,这样

在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的5价元素,例如磷,则磷原子就取代了硅晶体中少量的硅原子,占据晶格上的某些位置.磷原子最外层有5个价电子,其中4个价电子分别与邻近4个硅原子形成共价键结构,多余的1个价

n型半导体就是在单晶硅中掺入5族元素杂质,多子为电子,p型半导体是掺入3族杂质,多子为空穴.更深入的理解是通过改变费米能级使得自由电子或空穴的占有率提升,从而改变半导体导电性能.

n型半导体费米能级靠近导带边,过高掺杂会进入导带.p型半导体费米能级靠近价带边,过高掺杂会进入价带.

1硅或锗晶体本身只电中性的,掺入三价元素杂质后的P型半导体仍然是电中性的.原因是掺入的三价元素本身也是电中性的（最外层三个电子；相应的,原子核的电量为+3）.所以掺杂后仍然是电中性2掺入入五价元素后形

P型半导体中空穴导电,空穴带正（Positive）电荷；N型半导体中电子导电,电子带负（Negative）电荷；仅就我所知的常识做答,不正确的地方见谅.

要区别N型半导体和P型半导体,方法很多.简单而直接的快速方法就是采用热探针法（由热电动势的符合来判断）；复杂一些的是采用Hall效应测量法（由Hall系数的正负来判断）.

都不是.掺杂之后才能区分N型或P型半导体.在纯硅基础上,掺杂5价元素（外围电子5个）比如磷、砷等的称为N型半导体.掺杂3价元素比如硼、铝、铟的称为P型半导体

要看不同的材料的,ge的还si的是不同的,而且要看掺杂浓度的.一般来讲本征硅电子迁移率在1350cm^2/v*s本征锗电子迁移率在3800cm^2/v*s左右.

最简单的方法是热探针法,采用一个万用表加一个热探针即可.复杂一些的是Hall系数测量法等.

【n型半导体】“n”表示负电的意思,在这类半导体中,参与导电的主要是带负电的电子,这些电子来自半导体中的“施主”杂质.所谓施主杂质就是掺入杂质能够提供导电电子而改变半导体的导电性能.例如,半导体锗和硅

晶体管中加入了微量元素,会破坏原晶体内的电位平衡,在晶体内部产生空穴和电子的对流,但是记住,这是在半导体内部产生这种对流,进而产生内电场,生成电位差.但对于整个的晶体来说,中和一个电子必占用一个空穴,

在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体.（两种半导体接触在一起的点或面构成PN结,在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体,

本征导电性能最差.N型靠电子导电,P型靠空穴导电（空穴实际不存在的）,电子迁移率比空穴高.

型半导体中空穴导电,空穴带正（Positive）电荷；N型半导体中电子导电,电子带负（Negative）电荷；在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多

科技名词定义中文名称：N型半导体英文名称：N-typesemiconductor定义：导电的电子密度超过流动的空穴密度的非本征半导体.N型半导体也称为电子型半导体.N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓

N型半导体的载流子是电子,参入的杂质一般是磷；P型半导体的载流子是空穴（就是一个原子失去电子后的状态,但是空穴只是对应电子的一种叫法,并没有空穴）,参入杂质一半是B.相同点就是半导体的那些特点喽

固体半导体中可以移动的载流子,实际上只有电子.电子分：在导带中的电子,和价带中的电子.由于两种电子的迁移率不同,造成它们导电性的不同.为分析方便,称导带中的电子为“电子”,而价带中的电子为“空穴”,并