NpN管升压电路

NPN三极管和电阻共同构成一个反相器,信号为高的时候,三极管导通,因为发射极接地,集电极被拉低,单片机检测到低电平；信号为低的时候,三极管不导通,单片机检测到的是高电平（单片机输入的时候是弱上拉）.再

这个简单,基极电压和发射极电压之间电位差是0.7v左右的是硅管,0.3v为锗管NPN管子,集电极电压>基极电压>发射极电压PNP管子,集电极电压综上所述,处于中间值的就是基极,而与它符合0.7v或0.

1：Icq=βIb=β(vcc-Ibe)/Rb2:Rbe=300+(1+β)26/Ie,Ie=Icq3:参照有关资料,就不画了4：Au=Uo/Ui=-βRo/Rbe前面有个负号哦比较小,注意Ri=Rb

PNP管基极电压并不会高于电源电压,只会等于（近似,实际略低于）电源电压.在NPN管关断的时刻,它的集电极电流（也就是PNP管的基极电流）近似为零.若认为PNP管的基极电流为零,则它也处于关断状态（严

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(1)U1=3.4v,U2=2.7v,U3=12vNPN硅b,e,c(2)U1=3v,U2=3.3v,U3=11vNPN锗e,b,c(3)U1=-11v,U2=-6v,U3=-6.7vPNP硅c,e,

后面接个负载,要不爱然没有泄放回路,那个电压是虚的,没事儿,调的时候先把电阻加大

简单的电路,效率能达到80%就很不错了.要达到95%以上的效率,一定要选用专门的IC.再问：为什么专用的效率会高呢再答：影响开关电源效率的，除了器件本身的因素外，驱动开关管的信号也是关键因素。简单电路

1、可变电阻区2、截止区3、数据有问题Vb-Vc=4-2=2V,对于NPN管是不可能的（除非烧断集电结）

米有图片,不知道U1,U2,U3分别代表的是Ub,Uc,Ue?知道对应的Ub,Uc和Ue后,可以用二楼的方法去判断就行!

三极管共射极电路放大信号是由于输入信号改变了基极电压从而影响三极管的工作状态实现放大的,假设三极管Ube为0.6v,基极偏置电压设置的为0.7v,当输入-0.2v信号时,Ub=0.7v-0.2v=0.

(1)U1=3.4v,U2=2.7v,U3=12vNPN硅b,e,c(2)U1=3v,U2=3.3v,U3=11vNPN锗e,b,c(3)U1=-11v,U2=-6v,U3=-6.7vPNP硅c,e,

选B,这道题就是考三极管放大的外部条件——集电极反偏,发射极正偏.所以集电极的电压应该是5V,基极电压应该为1.3V,发射极1V.因为基极与发射极之间还有一个PN结,压降应该为0.3V,为锗管.硅管为

典型的boost输入电压是5~40V;；220v直接boost升压比较难,介意先用变压器降压,再经过正激或反激或推挽升压,这种功率可以做的比较高.

4.2v电池正好给手机（3.7v)充电,找两根线接上即可.

基集电流放大后集电集的电流不会大于总电源的电流的.S8550的三极管基集偏置电阻一般为几十到几百千欧,发射集的偏置电阻一般为100欧到1千欧.具体的要看你的集电极电流Ic需要取多大.以基本共射放大器为

NPN三极管,有两个PN结,一个是集电极到基极,另一个是基极到发射极.对于二极管来说,PN结的电流方向是从P流向N；对于三极管来说基极到发射极也是这样,而集电极到基极就会不同.电流从基极流向发射极后,

1、无论是NPN型,还是PNP型的三极管,不同的只是N、P两种材料排列方式不同,两者的功能是一样的,都具有电流放大的作用.2、因材料排列方式不同,PNP型三极管的电源供电方式与NPN型的正相反.PNP

这应该不是控制电流大小的问题,应该是你的负载比较大,应设法减小负载,如负载方便直接减小,可考虑降低输出电压.,

选B,这道题就是考三极管放大的外部条件--集电极反偏,发射极正偏.所以集电极的电压应该是5V,基极电压应该为1.3V,发射极1V.因为基极与发射极之间还有一个PN结,压降应该为0.3V,为锗管.硅管为