npn基极和发射极电位差

NPN三极管和电阻共同构成一个反相器,信号为高的时候,三极管导通,因为发射极接地,集电极被拉低,单片机检测到低电平；信号为低的时候,三极管不导通,单片机检测到的是高电平（单片机输入的时候是弱上拉）.再

基极b控制集电极c的电流.NPN：放大状态时,各脚电压比c>b>e,即基极电压小于集电极电压且大于发射极电压；b－e电压约为0.7伏为正常；PNP：放大状态,c

在共发射极的情况下,发射极电流等于集电极电流加基极电流,在基极和发射极两端并联一个电阻,也就是加了一个偏置电路,对通过三极管的电流有影响；而对三极管的电流分配没影响.

基极上拉电阻是提供三极管静态工作电压的,发射极电阻是负反馈电阻,稳定工作点用的.

书上说的是正确的,这个问题的确困惑了很多人,让我们陷入误区的是IC的流向问题,需要指出的是三极管不是二极管,不可以用二极管的概念套用在三极管上,这是两种内部结构完全不同的器件,需要分开来理解.书中的确

饱和时,基极和集电极都是正偏,所以反向饱和电流I（CBO）不复存在,代之以方向相反的多子扩散电流.因为饱和时集极正偏,发射极反偏,所以会产生由集电极到发射极的电流.再问：放大状态下从发射区注入到基区的

注意：“输入5V,那么分压点Vb电压是3.4V”的前提是两个电阻分压,但没有晶体管的情况下.一旦接入晶体管,be结必会导通,Vb的电压就被箝位在0.65V上,就不再是两个电阻分压了.应该理解成“4.7

三极管作为开关管使用时,必须满足两个条件：发射结正偏,集电结零偏或正偏当集电结零偏时三极管处于临界饱和导通状态,当集电结正偏时,正偏电压越高,三极管饱和程度加深愈厉害,（深度饱和）.一般来说,运用时,

这个电阻的作用是提高可靠性.半导体器件处于截止状态时,并非断路,实际上是高阻态.如果器件连通电源,就会有漏电流通过.虽然漏电流常常可以忽略,但有时忽略它却可能导致不安全.以此图为例.Q1的基极可能与某

首先确定你用的电源电压,比如15v,还有想要的集电极工作电流的范围,比如是0到10ma,这时候就可以确定集电极电阻和发射极电阻的总值了,即是：15v/10ma=1500欧姆.确定了总值,然后就是确定两

我来说吧,三极管要放大,有两个条件：发射结正偏,集电结反偏.对于NPN管来说,发射结是基极（P）指向发射极（N）,集电结是基极（P）指向集电极（N）.而且对于半导体来说,多子是携带电荷的主流,代表主要

当晶体管的发射极在未加电阻时,基极与地的电位也就是发射结上的电压（约为0.8V）；当加有电阻时,在电流相同的情况下,则基极与地的电位是发射结电压（仍然约为0.8V）再加上电阻上的电压,所以基极电位被抬

教你一招,很好用的.画一条线,把你的3个电压值标上：-5.5-5.2-1----------------------------------------------从图中可以看出三个电极的电压相互关系

你确定你测的电流方向正确吗?根据集电极电流是基极电流的β倍,发射极电流是基极电流的(1+β)倍确定硅管导通电压为0.7V,锗管为0.3V,由所测电压相减所得,剩下那个就是集电极,根据NPN和PNP情况

有几种情况需要说明NPN三极管符号如下：NPN硅管：当发射极电位比基极高0.3到0.7伏之间时,为放大状态；当发射极电位比基极高0.7伏及以上时,为饱和导通状态.NPN锗管：当发射极电位比基极高0.1

一般指的是放大状态NPN：Vc>Vb>Ve,且一般Vb-Ve=0.7VPNP：Vc

集电极带的是继电器的励磁线圈,150欧姆电阻的作用之一是提供集电极电流的直流通路,作用之二是与100U电容构成一个泄放电流回路,用来泄放继电器动作之后的线圈自感电势产生的电流.因为线圈是电感元件,电感

三极管有三个工作装态,截止,放大和饱和,一般像音响是在放大装态,其它的基本上都是在另外两个装态的,假如把三极管比作一个水龙头的话,那么,基极相当于是水龙上的可以扭动的开关,集电极相当于进水口,发射极相

四句口诀：“三颠倒,找基极；PN结,定管型；顺箭头,偏转大；测不准,动嘴巴.”下面让我们逐句进行解释吧.1：三颠倒,找基极大家知道,三极管是含有两个PN结的半导体器件.根据两个PN结连接方式不同,可以

这个题目挺有意思.答案是A.你存在的问题是：在分析的时候,自动加了个条件,也就是三极管处于放大状态,也形成了电流,而这个题目里面,丝毫看不出有这个前提条件.如果只是集电极发射极加电压,其实这个三极管是