npn三极管饱和时极电极

截止,当然是单片机输出为0呗,这样B极就没电流了.饱和的话,Uce

这个东西不是嘴巴说的,而是从三极管的输出特性曲线上查出来的.三极管的特性曲线可以用专门的仪器测出来,虽然不同器件之间曲线有所不同,但总体上的规律与书上的图是一样的.你随便找本摸电书看看,查一下三极管的

说的很对.

NPN三极管截止时,be电压肯定小于导通电压,CE、BC之间相当于开路,单独看BE、BE相当于二极管,饱和时B、C、E之间相当于短路.再问：相当于导线？那怎么还有饱和压降Uces什么的呢？再答：相当于

你很细心,确实你所看的教科书上说的不够准确,对于NPN三极管来说,Ube只要小于发射结的初始导通电压（对于硅管是0.5V~0.6V,对于锗管是0.2V）三极管就会处于截止区,这时候Ubc0.3V时,处

书上说的是正确的,这个问题的确困惑了很多人,让我们陷入误区的是IC的流向问题,需要指出的是三极管不是二极管,不可以用二极管的概念套用在三极管上,这是两种内部结构完全不同的器件,需要分开来理解.书中的确

这个要看具体类型的,一般来说,总的规律是,小功率三极管这个电压会小一些,但大功率三极管,这个电压不小.1、饱和是一种状态,有程度深浅之分,而衡量深浅的重要标志就是这个UCE.2、一般认为,临界饱和电压

饱和时,基极和集电极都是正偏,所以反向饱和电流I（CBO）不复存在,代之以方向相反的多子扩散电流.因为饱和时集极正偏,发射极反偏,所以会产生由集电极到发射极的电流.再问：放大状态下从发射区注入到基区的

答：1）三极管工作在放大状态；（此时发射结Ube=0.7V正偏,Ubc=-2.3V反偏,所以符合放大状态判定条件）2）工作在截止状态；（此时Ube=0.4V虽然正偏但是没有越过0.7V的门槛电压,所以

1、取基极串入电阻（欧姆）=HEF*【输入信号电压（V）-0.7（V)】/0.3(A）即可,选单个三极管只要输出能力满足要求就可以实现.2、耗散功率计算正确,但需要考虑截止到饱和过渡期间功耗较大的问题

看了你的介绍后,发现有一点问题.告诉你一个好方法吧.你去看晶体三极管的伏安曲线横坐标是ce电压纵坐标是集电极电流.自变量曲线族是基极电流.当基极电流为0是,一下的区域是截止区.当曲线要平的时候的转折点

万用表接基极和发射极然后换方向看电流方向就可以了

这个问题与具体的三极管型号和电源电压有关.假定采用9013三极管,其Vbe饱和电压为1.2V,又假定你采用5V直流供电,集电极-基极间的偏置电阻假定采用1K,则计算如下:R(饱和导通时的基极偏置电阻)

三极管作为开关管使用时,必须满足两个条件：发射结正偏,集电结零偏或正偏当集电结零偏时三极管处于临界饱和导通状态,当集电结正偏时,正偏电压越高,三极管饱和程度加深愈厉害,（深度饱和）.一般来说,运用时,

1、可变电阻区2、截止区3、数据有问题Vb-Vc=4-2=2V,对于NPN管是不可能的（除非烧断集电结）

三极管共射极电路放大信号是由于输入信号改变了基极电压从而影响三极管的工作状态实现放大的,假设三极管Ube为0.6v,基极偏置电压设置的为0.7v,当输入-0.2v信号时,Ub=0.7v-0.2v=0.

（1）三极管的类型是NPN管；（2）三个电极是1）---基极b、2）---集电极c、3）---发射极e；（3）该晶体管是硅管.

根据三极管的外形来判断1.一般说来,PNP型三极管的外壳比NPN型高得多.另外,NPN型三极管外壳上有一个突出标志,根据这些不同就可以把它们区分开来.2.用万用电表的欧姆挡来判断根据等效电路的不同,就

高电位到低电位   就像水向低处流  不会倒流的  顶多会截止了

基集电流放大后集电集的电流不会大于总电源的电流的.S8550的三极管基集偏置电阻一般为几十到几百千欧,发射集的偏置电阻一般为100欧到1千欧.具体的要看你的集电极电流Ic需要取多大.以基本共射放大器为