npn三极管放大时基极是高电位吗

因为你没发电路图上来,我想你这可能是一个发声的电路.在集电极与基极之间加上交流的正反馈电路,使电路尽早地进入饱和和截止状态.

这个简单,基极电压和发射极电压之间电位差是0.7v左右的是硅管,0.3v为锗管NPN管子,集电极电压>基极电压>发射极电压PNP管子,集电极电压综上所述,处于中间值的就是基极,而与它符合0.7v或0.

在EWB和orcad中没有9013等型号,而且9013的有不同的型号,放大倍数也不一样；当在仿真中,使用增益较小的三极管仿真时候,会出现放大状态的.因此用型号不同的三极管仿真是很难得出正确结论的.

(1)U1=3.4v,U2=2.7v,U3=12vNPN硅b,e,c(2)U1=3v,U2=3.3v,U3=11vNPN锗e,b,c(3)U1=-11v,U2=-6v,U3=-6.7vPNP硅c,e,

三极管作为开关管使用时,必须满足两个条件：发射结正偏,集电结零偏或正偏当集电结零偏时三极管处于临界饱和导通状态,当集电结正偏时,正偏电压越高,三极管饱和程度加深愈厉害,（深度饱和）.一般来说,运用时,

米有图片,不知道U1,U2,U3分别代表的是Ub,Uc,Ue?知道对应的Ub,Uc和Ue后,可以用二楼的方法去判断就行!

三极管共射极电路放大信号是由于输入信号改变了基极电压从而影响三极管的工作状态实现放大的,假设三极管Ube为0.6v,基极偏置电压设置的为0.7v,当输入-0.2v信号时,Ub=0.7v-0.2v=0.

(1)U1=3.4v,U2=2.7v,U3=12vNPN硅b,e,c(2)U1=3v,U2=3.3v,U3=11vNPN锗e,b,c(3)U1=-11v,U2=-6v,U3=-6.7vPNP硅c,e,

教你一招,很好用的.画一条线,把你的3个电压值标上：-5.5-5.2-1----------------------------------------------从图中可以看出三个电极的电压相互关系

选B,这道题就是考三极管放大的外部条件——集电极反偏,发射极正偏.所以集电极的电压应该是5V,基极电压应该为1.3V,发射极1V.因为基极与发射极之间还有一个PN结,压降应该为0.3V,为锗管.硅管为

100%是NPN,3V脚是发射极,3.4V脚是基极,9V脚是集电极.两个脚的电压差

不能直接取代.再问：那基极的电流为什么前面有个负号呢？是PNP管的原因吗？再答：PNP三极管发射极和集电极导通是需要在基极和发射极加-0.7v电压，即发射极电压要比基极高0.7V，而NPN三极管集电极

不可以的.哪有这么高的电压加到三极管再问：为什么，有什么文档可以说明一下吗？再答：三极管本身就是两个PN结。PN结的电压是非常低的再问：1N4007也是PN结啊，也可以加在220V交流上用作整流啊。再

晶体管各极的电压：NPN管Vc>Vb>Ve时晶体管就处于放大状态；晶体管处于放大状态时,集电结反偏,而发射结正偏.这就是晶体管处于放大工作状态时的特点.

有几种情况需要说明NPN三极管符号如下：NPN硅管：当发射极电位比基极高0.3到0.7伏之间时,为放大状态；当发射极电位比基极高0.7伏及以上时,为饱和导通状态.NPN锗管：当发射极电位比基极高0.1

一般指的是放大状态NPN：Vc>Vb>Ve,且一般Vb-Ve=0.7VPNP：Vc

基集电流放大后集电集的电流不会大于总电源的电流的.S8550的三极管基集偏置电阻一般为几十到几百千欧,发射集的偏置电阻一般为100欧到1千欧.具体的要看你的集电极电流Ic需要取多大.以基本共射放大器为

三极管NPN发射结正偏集电结反偏时,集电极是不是高电位?回答肯定是高电位1发射结反偏,集电结反偏：管子处于截止状态,集电极电位等于电源电压；2发射结正偏,集电结反偏：当Vbe0.5v,管子开始导通,进

达林顿接法,沃尔曼接法,推挽图腾接法.

选B,这道题就是考三极管放大的外部条件--集电极反偏,发射极正偏.所以集电极的电压应该是5V,基极电压应该为1.3V,发射极1V.因为基极与发射极之间还有一个PN结,压降应该为0.3V,为锗管.硅管为