mos开关串电阻

1,MOS管损耗比三极管小2,MOS管为电压驱动型,驱动电路比较简单,三极管为电流驱动型3,MOS管的温度特性要比三极管好

讲解这个很费功夫,我上次仔细讲解了一个,花了很多时间,后来他忘了关闭问题,结果,悬赏的100分,被另一网友投票拿走了.（拿到100分的“知友”仅仅提供了一灌水答案“OK”）再问：谢谢，不过你等于没讲，

二者区别没有那么绝对,很多mos管既可以工作在线性状态,又可以工作在开关状态.只不过开关mos管为开关的工作方式做了优化,主要是能支持比较高的开关频率.

MOS每次开关都有损耗,降低开关频率就是为了降低损耗再问：那最高频率最低频率受哪些因素的限制，由什么来决定再问：还有，那为什么空载时的频率最高呢？难道不怕MOS的消耗吗？再答：最高最低频率和变压器参数

可行的.S接VCCG接控制管脚,如果你是51类的单片机,最好在GS之间接一个上拉电阻.D就是受单片机控制了.高电平关断,低电平导通但你不能用它来控制单片机本身

有两个用处,第一是保护,防止不正常工作状态和误触发.第二是让mos管尽快从导通进入到截止,这个10K的电阻就是提供一条让mos管的基极电荷流到地的通道,提高MOS管的开关速度,进而提高电路性能.

为了提高MOS管的电气特性,尤其是耐压和耐电流能力,功率MOSFET大都采用垂直电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利.2.3.2

看看晶闸管的相关知识,晶闸管的整流、调压电路知识大体来说就是通过控制MOS管的通断来削波(交流电是正弦波,比较220V的市电,电压从0值一直变化到最大值,让交流电通过MOS管,比如需要110V的电压输

晶体管的输入电阻比较小,一般在K欧姆级别；等效电路是用电阻表示；MOS管的输入电阻比较大,一般在M欧姆级别；等效电路可以用开路表示.

还有：F、开关频率G、开通、关断时间H、损耗（开通、关断能量）I、安装方式等.

电流取样的作用.通过U＝IR可得知,当电流值升高时,因电阻值不变,所以相应的电阻两端的电压也就会升高,升高的幅度大小会通过一个电阻,一般的为1千欧左右反馈回控制电路,比如是芯片的C/S脚,在低于或高于

缓冲电阻,针对栅极控制信号的.根据MOS管的栅极电容和工作频率来选择,一般在4.7欧到100欧之间.一般MOS管资料内也会有个相应的栅极串入电阻参考值.想深入了解的话建议去看看IR公司的关于MOS驱动

MOS管的GS级有寄生电容,而且电容值还不小,所以通常情况下会在GS之间挂一个几K的电阻,平且在驱动线路中串如一个几欧姆或者更小的电阻,以防止驱动放生震荡再问：PWM方波输出脚为什么要并联一个4148

在开关电源中,通常的设计会在MOS管的漏极或者IGBT的C如你所说的加电阻并二极管（应该还要串一电容）至电源的正极.此电路是缓冲电路,吸收电路尖峰,避免开关过程中产生的高压尖峰击穿开关管导致损坏.在不

你所指的功率电阻一搬是指的功率大过普通电阻时的一个不定值.你的问题应该是如何确定所选电阻的功率.选电阻的功率必须知道所在电路的正常工作电压和电流是多少,然后再根据电压和电流算出要选电阻的功率.例如,要

加个470K左右试试,具体原因我也不是很清楚.我用irlml6402时,通过测试选用了470K的电阻.如果楼主知道了原因麻烦也告诉小弟一下,------------------------------

MOS管是电压控制型半导体器件,输入阻抗高,功耗低.而晶体管是电流控制型半导体器件器件,输入阻抗低,对前级电路的影响较大.两者都可以做开关使用,如果设计电路最好用MOS管,如果维修的话要按照原来的型号

由问题可知你对MOS管还是有一定的了解.一般的回路图里,MOS管的源极接一个电阻,然后接地.此电阻一般很小,为毫欧级,主要用于电流采样,把电流讯号转化为电压讯号,用于监控回路电流.如还有疑问可把回路图

mos管驱动电阻烧了,说明这个管子已经击穿损坏了（管子正常的话这个驱动电阻是不可能烧的,mos管是电压驱动型器件）,再通电的话就可能会炸.再问：不是的，我后好直接把管子的删极电阻去掉，一加310DC电

干吗这么关注这些名词呢?Vgs和Id有一定的曲线关系,当MOS管可以驱动的电流大于负载需要的电流,电流不再增加,就是饱和了.就好比三极管的Ic和Ibe有比例关系.最终只要知道电压电流关系就可以,至于半