mosfet的输入电阻
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/17 19:31:40
我做的驱动板用6W3000V隔离的DC-DC电源,驱动3600A1700V的IGBT都没问题.2W够不够你自己算.
MOSFET驱动器的主要作用是阻抗变换和功率输出,它的输入阻抗极高而输出阻抗可以很低,它的输入信号功率极小而输出功率可以较大或很大.
它就起到一个开通和关断的作用,从而式开关电源的变压器得到交流型号.一般工作频率在几十KHz到上百KHz!主要参数为额定电流耐压和工作频率.
下面链接有详细的公式:下面链接有详细的计算过程的例子:
因功率MOSFET具有开关速度快,峰值电流大,容易驱动,安全工作区宽,dV/dt耐量高等优点,在小功率电子设备中得到了广泛应用.但是由于导通特性受和额定电压的影响很大,而且工作电压较高时,MOSFET
是,看看外文资料,是否翻译不同而已.
输入电阻可以通过实验方法测得,具体操作是:去掉电路中所有独立源(电压源用短路代替,电流源用断路代替),然后在端口处施加电压U,测量端口电流I,则输入电阻Rin=U/I.对于不太复杂的电路,也可以按照上
mosfet是绝缘栅场效应管是电压控制的输出电流,由于是绝缘栅所以阻抗那是相当的大基本上输入电流为0
如果你搭成反相比例放大的话,反相输入端的电阻R1就是整个放大器的输入电阻,这个要根据前一级的情况定,而同相输入端的电阻R2很容易,按照R2=R1//Rf就可以了,这在任何一本模电书里都有.如果你不是很
A.增大串联负反馈使放大器的输入电阻增大,增加量与负反馈量成正比.
首先的求出R的通式,在ab两端在一个正向的电压U然后又流过干路电阻的电流为I+rI于是又U=-[1*(I+rI)+1*I]注意电流和电压的方向所以有个负号R=-U/I=2+r所以这里r=1
输入电压除以输入电流
mosfet当中的高频振荡原因是,由mosfet的结电容和栅极回路中的寄生电感共同作用产生的,也就是说mosfet在开通关断时,mosfet的结电容存在一个充电和放电的动作,而充电、放电电流都要流过m
td(on)+tr+td(off)+tf,然后乘以10,再取倒数就行了
现在的运放一般的输入阻抗很高,所以运放信号输入端电阻选择余地比较大.但反向放大的输入阻抗是不大的,所以反向放大的时候,要考虑信号源的内阻.通常为了减小偏置电流带来的影响,还有就是降低噪声和温飘的影响,
极限参数ID@Tc=25C°Vgs@10V17Amosfet芯片case温度在25C°、栅极电压为10V时,芯片允许通过的最大连续漏极电流为17A如果芯片case温度上升到100C°,则漏极电流下降为
这个要看你检测引脚的电压阀值,和你要控制的电流大小,一般规格书上会有相应的公式的.再问:谢谢,譬如检测脚电压阀值是0.1V,流过主回路的电流峰值是0.5A。那我的电阻取值为0.2R这样理解对吗?请指教
MOSFET的最大载流能力受到2方面限制:一方面是管芯限制,即siliconlimit.由于通态电阻Rds(on)以及米勒电容引起的导通损耗和开关损耗,会带来功率损耗powerloss,这些损耗就以大
输入电阻是从二端口看进去,并将电压源短路电流源短路后的等效电阻.
BJT:双极结型晶体管JFET:单极结型场效应晶体管MOSFET:单极绝缘栅型场效应晶体管