硅二极管的反向饱和电流为多少?

二极管正向压降相关：1、二极管材质/工艺：硅管压降>锗管压降.而同等材质,工艺不同,压降也不同.2、二极管的工作电流：同一个二极管,当前电流越大,压降越大.压降虽然有不同,但是范围在(零点几~1点几)

二极管是温度的敏感器件,温度的变化对其伏安特性的影响主要表现为：随着温度的升高,其正向特性曲线左移,即正向压降减小；反向特性曲线下移,即反向电流增大.一般在室温附近,温度每升高1℃,其正向压降减小2～

不需要估算,你用哪个型号的二极管,上网搜它的数据手册,一看就知道了.各个二极管不一样的,比如说1N4148的是这样写的：在输入电压20V,常温常压下是25nA,150℃下是50μA.而1N5819在常

1.二极管是一种具有单向导电的二端器件.2.外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流.由于反向电流很小,二极管处于截止状态.这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电

少数载流子浓度增大.

因为二极管的反向电流的大小是取决于PN结中的少子的多少,温度高时少子多,而与电压大小无关

硅材料二极管:导通电压约0.5~0.7V,温度升高后正向压降降低,反向电流增加.锗材料二极管:导通电压约0.1~0.3V,温度升高后正向压降降低,反向电流增加.二极管主要功能是其单向导通.有高低频之分

什么型号的二极管反向电流最小,这个问题很难回答,除非把世界上所有型号的二极管的资料无遗漏地查过才能确定.如果问哪些二极管的反向漏电流较小,还可以回答,通常是小信号开关二极管的反向漏电流较小,很多型号的

二极管的反向电流很小,常常称为截止电流.由于理想二极管的反向电流,例如不存在漏电流的Ge二极管的反向电流,该电流是少子的扩散电流,与反向电压无关,即是所谓“饱和”的（不随电压而改变）,所以又称为反向饱

硅管正向通导电压一般在0.0.8V,所以【外加正向电压为0.2v,0.4v时】均体现为与反向相同的电流特性,根据U=IR,即可计算出相应的R来,此时I即为【反向饱和电流：10的负9次安】.此时直流、交

反向饱和电流：在二极管两端加上反向电压、反向电压在某一个范围内变化,而此时反向电流恒定.

硅二极管的正向导通电压为0.0.7V,所以,0.2V的电压不能使其导通,其工作点是处于其特性曲线上,要计算其直流电阻和交流电阻必须要借助其正向特性曲线,这里没有通用的特性曲线,即便有,按照通用特性曲线

二极管的反向饱和电流Is受温度影响,工程上一般用式Is(t)=Is(t0)2^[(t-t0)/10]近似估算,式中t0为参考温度.上式表明温度每升高10℃时,Is(即本征激发的载流子浓度值ni)增大一

所需电压较高,还要串入一个较大电阻.再问：测试仪上怎么读取？再答：晕，这有怎么读的？直接读取显示数据就行了。那就是管子的反向漏电流了。再问：THKS再答：没什么问题了记得采纳哦。

反向饱和电流是由二极管内得载流子决定得

阁下算问对人了,因为反向电流是由少数载流子构成的,而“少子”很容易从外界获得能量而活跃起来,使反向电阻剧变,故其反向电流会随温度变化.

二极管的反向电流很小,常常称为截止电流.由于理想二极管的反向电流,例如不存在漏电流的Ge二极管的反向电流,该电流是少子的扩散电流,与反向电压无关,即是所谓“饱和”的（不随电压而改变）,所以又称为反向饱

通常在微安级.1N4007实际测量结果在20～300微安之间.这项指标的名称应该是反向重复电流,试验条件是：二极管施加1000V反向重复峰值电压,测量其峰值电流值.

我所知道的是硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,反向饱和电流一般在10e-14A～10e-10A.发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同.主要有三种颜色,具体压降参

理想二极管,正向导通时电阻为0,电流为该支路电流反相截止时电阻无穷大,电流为0A