硅三极管饱和时uce≈多少V

对于图a；∵发射极电流=ic+ib=ib*β+ib=ib*(1+β)；∴ib*Rb+0.7+ib*(1+β)*Re=12(v)∴ib=（12-0.7）/[Rc+（1+50）*Re]=（12-0.7）/

这个东西不是嘴巴说的,而是从三极管的输出特性曲线上查出来的.三极管的特性曲线可以用专门的仪器测出来,虽然不同器件之间曲线有所不同,但总体上的规律与书上的图是一样的.你随便找本摸电书看看,查一下三极管的

NPN三极管截止时,be电压肯定小于导通电压,CE、BC之间相当于开路,单独看BE、BE相当于二极管,饱和时B、C、E之间相当于短路.再问：相当于导线？那怎么还有饱和压降Uces什么的呢？再答：相当于

基极电阻为10K~15K,或只要基极电压≥1V则三极管就饱和导通.

你很细心,确实你所看的教科书上说的不够准确,对于NPN三极管来说,Ube只要小于发射结的初始导通电压（对于硅管是0.5V~0.6V,对于锗管是0.2V）三极管就会处于截止区,这时候Ubc0.3V时,处

请问当三极管刚刚饱和时,就是临界饱和状态,Uce=Ube,管压降Uces,Ubc=0,测量发射机和集电极之间电压当然是Uce咯.不会变的.再问：谢谢啊！可是共射级时Uces和Uce是不是一样呢？？再答

C饱和.对于NPN型的硅三极管,0.7V是PN结正偏时的导通压降,即Ube就是B到E间的PN结——发射结的压降.由于饱和时,三极管中的两个PN结的偏置为：发射结正偏(Ub>Ue),集电结正偏(Ub>U

三极管饱和时Ic电流不随Ib变化,如果此时Ib继续增大,Uce减少,这是叫做过饱和.这时Ic已经达到最大,这个最大值是由三极管的负载电阻决定的.

饱和区是很大的,只要饱和时Ic要小于βIb,可以无限大的,当然也不能超出最大IC值,不然三极管会烧的.饱和情况下,集电极回路阻抗变化,电流变化是对的.因饱和时,三极管VCE只是相当于一个二极管,是有一

Ube=0.7V不是硅三极管饱和时的特征,其实硅三极管只要工作,无论饱和与否,Ube总是接近于0.7V.这个0.7V与圆周率π=3.14一样,基本上是一个常数.如果从内部原理解释,那就是pn结P区N区

这个要看具体类型的,一般来说,总的规律是,小功率三极管这个电压会小一些,但大功率三极管,这个电压不小.1、饱和是一种状态,有程度深浅之分,而衡量深浅的重要标志就是这个UCE.2、一般认为,临界饱和电压

三级管工作有俩种状态1放大,用于信号放大,一般用于小信号处理.2用于电路的开关,又称开关管主要用于产生直流电源,这时三级管工作在饱和状态.别灰心在电路中多理解就好了

0.7是管压降放大区和截至区的电压值不同你应该先看一下三极管的参数曲线

1、（锗管）饱和状态.2、截至状态.你的参数如果按正常的计算方法是缺参数的,比如B值（管子的电流放大倍数）没有给出,回流电压及电阻都没有给,有了这些东西才能进行理论分析.只能靠经验分析,尤其是第一个.

1k左右的电阻就可以,这和你电源的功率有关,H桥最好是再加一级驱动即：由场效应管组成H桥,由三极管控制场效应管这样可以控制较大功率电机不用担心三极管会被自感电压击穿的问题再问：9012PNP管，其他的

半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件.它最主要的功能是电流放大和开关作用.三极管顾名思义具有三个电极.二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为

看工作点靠近哪个截止区还是饱和区,

前面说的好像不对哦,说一下个人观点,首先纠正一下你理解存在错误,三极管工作在饱和区时UCE不是0v,是0.3v,Ic在特性曲线上也不是0,而是一个恒值,我们知道三极管IC只受到IB控制影响,所以IB既

导通状态UBE0.72说明有正向电压UCE0.3说明基射极内阻小为导通

一、判断三极管基极对于NPN型三极管,用黑表笔接某一个电极,红表笔分别接另外两个电极,若测量结果阻值都较小,交换表笔后测量结果阻值都较大,则可断定第一次测量中黑表笔所接电极为基极；如果测量结果阻值一大