电路如图所示,三极管为NPN型硅管,放大倍数为50,Rl=4,计算静态工作点

你好：根据题中信息可得：IB=(Vcc-UBEq)/Rb=11.3V/280kΩ≈0.04mA,IC=50*IB=2mA,所以UCEQ=Vcc-IC*RC=12V-2*3=6V>饱和电压,所以管

我们知道Ic=K*Ib,所以,可以将你想放大的电流源（电压源）正确的接在三极管B极,C极可以加在低于三极管击穿电压的电源上（比如12V,5V）可以选择串接一个电阻,输出接在三极管C极或E极就可以了

这个简单,基极电压和发射极电压之间电位差是0.7v左右的是硅管,0.3v为锗管NPN管子,集电极电压>基极电压>发射极电压PNP管子,集电极电压综上所述,处于中间值的就是基极,而与它符合0.7v或0.

如果是硅管换硅管前后级都是电容交联,先把电源正负极对调,本级一些电解电容也要极性对调.前后级藕合电容可通电后测量电容两端电压极性,与电容极性不附的,要把电容拆下调转极性.小容量的电解可用无极性电容代换

因PNP管与NPN管PN结所需电压极性相反,所以两种电路的正负及电解等有极性电元件也应以管型决定!N管集电极为正!P管集电极为负!--寂寞大山人

常用的NPN三极管：C1815C945S9013S9014S80503DD15A~D2SD880D8822N5401PNP:A10152N5551S9012S9015S85503AX31TIP31TI

1：Icq=βIb=β(vcc-Ibe)/Rb2:Rbe=300+(1+β)26/Ie,Ie=Icq3:参照有关资料,就不画了4：Au=Uo/Ui=-βRo/Rbe前面有个负号哦比较小,注意Ri=Rb

发射极加一个电阻是基本的放大器结构.如果电阻有并联一个电容,就是直流电流负反馈电阻,目的是稳定静态工作点,如某种原因（温度变化等）使集电极电流Icq增大,电阻Re上的电压也会增大,即发射极电位Ve上升

NPN型三极管的等效电路是图1再问：为什么额再答：N相当于负极，P相当于正极。

pnp型:E接+B接-C接-npn型:E接-B接+C接+而般电路中三极管共发射极接法的多,所以集电极C接负电源就说明是pnp管,这些都是电子技术中基础中的基础,还要努力啊.

1、可变电阻区2、截止区3、数据有问题Vb-Vc=4-2=2V,对于NPN管是不可能的（除非烧断集电结）

三极管共射极电路放大信号是由于输入信号改变了基极电压从而影响三极管的工作状态实现放大的,假设三极管Ube为0.6v,基极偏置电压设置的为0.7v,当输入-0.2v信号时,Ub=0.7v-0.2v=0.

(1)U1=3.4v,U2=2.7v,U3=12vNPN硅b,e,c(2)U1=3v,U2=3.3v,U3=11vNPN锗e,b,c(3)U1=-11v,U2=-6v,U3=-6.7vPNP硅c,e,

选B,这道题就是考三极管放大的外部条件——集电极反偏,发射极正偏.所以集电极的电压应该是5V,基极电压应该为1.3V,发射极1V.因为基极与发射极之间还有一个PN结,压降应该为0.3V,为锗管.硅管为

一是从管体上标的型号上区分:各国对三极管命名法中,都明确区分PNP和NPN管.国产管是用字母表示:编号第二部分是字母,A和C是PNP型有;B和D是NPN型的.二是用万能表实测:红笔接基极b,黑笔接c或

常用的小型继电器工作电压有5V和12V两种,你使用的时候最好有一个9V或者12V的电压(如果你选12V的继电器,那么电压要再高一些).单片机IO口输出控制信号,最好采用低电平控制导通的方式,也就是IO

基集电流放大后集电集的电流不会大于总电源的电流的.S8550的三极管基集偏置电阻一般为几十到几百千欧,发射集的偏置电阻一般为100欧到1千欧.具体的要看你的集电极电流Ic需要取多大.以基本共射放大器为

901221PNP低噪放大50V0.5A0.625W150MHZ901321NPN低频放大50V0.5A0.625W150MHZ901421NPN低噪放大50V0.1A0.4W150HMZ901521

无论NPN还是PNP型三极管,它们放大倍数的定义是相同的：β=Ic:I

选B,这道题就是考三极管放大的外部条件--集电极反偏,发射极正偏.所以集电极的电压应该是5V,基极电压应该为1.3V,发射极1V.因为基极与发射极之间还有一个PN结,压降应该为0.3V,为锗管.硅管为