温度升高,N型半导体的电阻率-搜答案-神马作文网

这个需要一点固体物理和量子力学的概念.我刚好学习过:)金属的电阻机理:实际上,金属的晶格规则排列;金属的电子在金属内部的填充方式使得有一部分电子能够比较自由(我们称金属的一个价带是半满的,在这个价带内

外界条件,如光、温度等会对材料产生影响,材料不同,导电机理不尽相同,对电阻率有影响.概括来说就是对载流子迁移率、浓度等的影响.

碳和绝缘体的电阻随温度的升高阻值减小.半导体电阻值与温度的关系复杂,一般温度稍有增加电阻值减小很大.

应该是随温度升高而减小吧?搞不懂.

导体随着温度升高电阻增大.再问：还有什么需要这样记住的？再答：导体温度越高，原子活动剧烈，所以电阻越大。

半导体导电原理半导体一般是由4价的硅或锗为主体材料,它们的晶体结构也和金刚石一样,每个原子由4个价和运转在空间等距、有序环绕,构成金刚石结构,很纯的单晶硅基本不导电.N型半导体在纯硅晶体中加了少量

金属导电是因其内的自由电子流动而成,半导体内部不仅有自由电子,还有空穴,其实质为假想粒子,两种粒子共同作用参与导电

金属导电是由于金属中的自由电子定向运动导致的.金属中的除自由电子外的原子实也在其位置附近振动,这种振动的剧烈程度与金属的温度有关,温度越高,振动越剧烈.同时自由电子与这种原子实之间的碰撞机会就越大,也

而半导体是靠少数残载流子导电,少数载流子本身就是靠热激发才产生的,温度越高载流子越多,因此电阻变小

这个变化很小可以忽略不记,只有热敏电阻才有变化的.

温度上升后,半导体内部的电子或者空穴摆脱原子核对其控制的能力就会增大,成为自由电子或空穴,从而以这些为基础的载流子浓度就会增大,导电能力也就增大.换言之,其最阻变大.

如果是纯半导体,则其电阻率随温度升高而单调下降（因为T升高,本征载流子浓度上升,电阻率下降）.\x0d如果是掺杂半导体,这个过程比较复杂,先下降,后上升,最后再下降.

还与电阻横截面积有关.和温度当然有关,绝对零度,一些金属将没电阻

如果是纯半导体,则其电阻率随温度升高而单调下降（因为T升高,本征载流子浓度上升,电阻率下降）.sssss

半导体和绝缘体的电子要变成自由电子需要吸收较多的能量,温度高的话,电子能级提高,变成自由电子需要吸收的能量就减少.so..

对,合金的电阻率受温度影响小.

有本质的区别,掺入杂质通常是掺入三价或五价的物质,使半导体的空穴或电子增多,有利导电；而提高温度是为了使半导体中原子的外层电子更活跃而离开原子核的约束成为自由电子和空穴.但共同点都是通过移动的电子和空

因为金属靠电子运动来导电,当温度升高的时候,原子核运动加快,阻碍电子的定向移动,电阻增大.半导体靠晶体缺陷导电,温度升高时,空缺的移动速度快,所以电阻小.至于绝缘体……没有绝对的绝缘体的

p型半导体中多子为空穴,主要靠空穴导电；n型半导体中的多子为电子,主要靠电子导电；空穴的迁移率比电子的小,所以p型半导体的电导率比n型的小,即P型半导体的电阻率比N型大.

以硅为例,在一定的温度范围内,半导体的电阻率随温度的升高,而变小.因为半导体价带上的电子,随着温度的升高,不断地被激发到导带,使载流子的数量增加,其导电性得到不断加强,电阻率变小；当温度上升到一定高度