温度 三极管结电压
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/10 16:04:15
温度升高时,PN结的正向电流增大、正向压降降低,即正向电流具有正的温度系数,正向压降具有负的温度系数;这主要是由于PN结的势垒高度降低所造成的结果.并且反向电流随着温度的升高也增大,这主要是由于两边少
在线测量电压,首先要找到公共接地点,黑表笔接地,然后用红表笔依次测量三极管的三个引脚,三极管一般不会直接接地(做控制除外)
三极管可以直接放大电流,电流通过电阻可以转换成电压,三极管放大电压信号就是先把电压通过基极电阻转换成基极电流,放大成集电极电流后再通过集电极电阻转换成电压.
三极管在饱和状态下,Ic=b*Ib(b为放大系数)不成立(成立就是放大状态).此时不可根据已知的Ib来计算Ic.再问:请问是否满足:Uce=Uces≈Ube,为什么?再答:不满足:Uce=Uces≈U
RB=RB1//RB2=180//20k=180x20/(180+20)k=3600/200k=18kUB=RB1/(RB1+RB2)Ucc=20/(180+20)x20V=2VIB=(UB-Ube)
要根据所接入的限流电阻而定,若限流电阻与集电极串联,导通后集电极由高电平变为低电平;若限流电阻与发射极串联,导通后集电极呈高平不变.
楼主,我来说一下吧:这里涉及到加负载和不加负载的问题,楼主说的是不加负载的情况,加负载后,由于并联一个负载,对于Ic会分流啊,不能再是VCC-ICQ*RC1了,楼主应该懂了吧,还有至于为什么Ucq1的
1、电压放大器提高带负载能力是指电路输出电阻小,引入的是电压负反馈2、温度升高,半导体导电能力增大,电阻减小,(1)对放大倍数β的影响:三极管的β随温度的升高将增大,温度每上升l℃,β值约增大0.1%
温度对三极管参数的影响几乎所有的三极管参数都与温度有关,因此不容忽视.温度对下列的三个参数影响最大.(1)对β的影响:三极管的β随温度的升高将增大,温度每上升l℃,β值约增大0.1%,其结果是在相同的
温度电压当量,与热力学温度成正比,二极管的温度电压当量表示为:VT=kT/q其中T为热力学温度,单位是K,T=t+273,其中t为摄氏温度;q是电子的电荷量;k为玻耳兹曼常数.在室温27°C左右时,(
直流电压吗.如果在基极有交流输入,那就可以了.只要交流信号超越了0.6v就可以强制导通.如果基极到低,有个电感,那也可以,交流信号会直接叠加,形成负偏压.
楼里两位网友的答案互有错对,正确的是:b图、Ib=(12V-0.7V)/300KΩ=0.0377mA,若三极管处于线性放大状态,Ic=β*Ib=50*0.0377mA=1.88mA,Vce=12V-3
(b),导通.(c)截止(发射结反偏)
设发射极电位为u,则有(12-0.7-U)*101/500000=U/1000,解得U=1.899,可得IE=0.001899A,所以集电极电阻上压降约为3000*0.001899=5.7V,所以集电
不一样,BC结的反向击穿电压低的几十伏,高的数百伏,但有一点是一样的,就是NPN管的BE结反向击穿电压都是6V左右,因此NPN管的BE结可当6V稳压管用.补充:应该是所有硅材料管(PNP和NPN)的B
二极管是温度的敏感器件,温度的变化对其伏安特性的影响主要表现为:随着温度的升高,其正向特性曲线左移,即正向压降减小;反向特性曲线下移,即反向电流增大.一般在室温附近,温度每升高1℃,其正向压降减小2~
第一次看到这么设计的电路,比较奇特,也有点意思,不知道你具体用途,不敢说设计的是好是坏,大概给你评点一下.1、这个电路可以工作在线性区,也可以工作在开关区,和其中的元件参数有关;2、输入可以控制输出,
晶体三极管的作用主要是电流放大详细资料见我的百度空间参考资料
绝对值就是指B极和E极之间的电压差(不考虑极性),PN结的起始电压要看PN结的材料,一般情况下,硅材料的为0.6V左右,锗材料的为0.3V左右再问:我不怎么懂,你可以在详细一点吗?就是那个电压差的绝对
这个问题你最好看一下PN结的伏安特性曲线或二极管的伏安特性曲线(或者你看一下三极管的输入特性曲线).仔细看一下,在正向特性上,随着UBE会随着Ib的电流增大而增益.这个就是半导体的非线性,理论上说,对