本征激发体现了半导体的什么特性?
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/09/22 07:34:19
按照常规,一般是按百万分之一数量级的比例掺入.这样对半导体的性能会产生很大影响.
在本征半导体硅(或锗)中掺入微量的5价元素,例如磷,则磷原子就取代了硅晶体中少量的硅原子,占据晶格上的某些位置.磷原子最外层有5个价电子,其中4个价电子分别与邻近4个硅原子形成共价键结构,多余的1个价
我以N型半导体给你举一个例子:单位体积的硅原子数为10^22cm^-3,若杂质含量为10^-4(万分之一),则杂质原子浓度为10^18cm^-3.在常温下,杂质能级上的电子即使只有十分之一被激发到导带
半导体的过剩载流子的寿命主要是由复合几率决定的.电子从价带跃迁到导带后,如果导带和价带能量差得越大,越容易掉下来,所以寿命也就越短.如果温度高,粒子的平均动能高,价带的能量也就高,导带和价带的能量差更
详见刘恩科《半导体物理》第四章有很详细的介绍!
生物具有应激性.再问:O(∩_∩)O谢谢
空穴:电子挣脱共价键的束缚,成为自由电子后留下的空位.我做一个比喻:你可以把共价键想象成一个教室的桌椅和学生(每个位置都有学生),此时是一个稳定状态(没有运动的学生,也没有空桌椅,相当于不导电).突然
1)首先要选择什么杂质-如果要掺杂成P型半导体可以选择B和BF和In.-B是最常用的-In和BF的质量比较大,适合于浅掺杂-BF中的F可能对HCI或者NBTI
本征半导体完全纯净的半导体称为本征半导体或I型半导体.硅和锗都是四价元素,其原子核最外层有四个价电子.它们都是由同一种原子构成的“单晶体”,属于本征半导体.1.半导体中的两种载流子—自由电子和空穴在热
半导体的导电能力随温度的升高是增大的,而负温度特性的热敏电阻,当温度升高时,其阻值是减小的.
本征半导体就是由于本证激发而产生电子的高纯半导体,参加微量五价(例如磷),则会形成,非本征半导体(N型半导体),多子是电子,少子是空穴
本征导电性能最差.N型靠电子导电,P型靠空穴导电(空穴实际不存在的),电子迁移率比空穴高.
常用的四价元素硅和锗等纯净半导体称为本征半导体.半导体分为两种N型和P型.本征半导体与载流子的浓度,与材料的性质和温度有关,随温度的增加,基本按指数规律增加.依电子导电为主的叫做N型半导体,依空穴导电
本征半导体费米能级位于导带底和价带顶之间的中线上,导带中的自由电子和价带中的空穴均很少,因此常温下导电能力低,但在光和热的激励下导电能力增强.n型掺杂半导体的费米能级接近导带底,导带中的自由电子数高于
锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体,它们的导电能力介于导体和绝缘体之间,叫做半导体.半导体具有一些特殊性质.如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件(热敏电阻);利
本征半导体(intrinsicsemiconductor)是完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体.特点:电子浓度=空穴浓度,载流子少,导电性差,温度稳定性差,所以,实际上少用,要掺杂后才实用.
当然是流动性,免疫是一个整体的过程,有淋巴细胞的参与才可以称之为免疫.识别只是细胞与细胞之间的信息交流,而这里吞噬细胞把吞噬细菌吞了是进入了吞噬细胞的内部,必须是依靠细胞膜的流动性才得以实现,因此这一
细胞膜的流动性,过程是这样的:抗原先与细胞膜接触,然后细胞膜凹陷将抗原包住形成吞饮小泡,运输到溶酶体分解
问题一楼主的问题在于对半导体载流子浓度的数量级没有认识,打个比方:以硅材料为列,硅常温下本证载流子浓度在10个零左右,如果制作BJT基区,参杂一般在17到19个零之间,就已参杂18个零为列,这时候电子