晶体管放大电路中当ib=10ua
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/12 09:25:54
饱和状态,看看模电就行
晶体三极管有三种状态:截止、饱和、线性放大,晶体三极管处于纯属放大区时电路才会具有线性放大作用.
1问其实2.3.13d这个图是等效电路模型,电流方向怎样取都没有问题的,公式都能成立.因为等效模型中的参量是可以有负值的,所以我们应该定义这里讨论的,是真实方向.在文中下一页的对h参数方程2.3.7a
看你求什么放大倍数了.晶体管的“电流”放大倍数是由晶体管本身特性决定的.但是电压放大倍数则是晶体管本身和电路结构共同决定的.
共集电极放大电路电压放大倍数约为β/(1+β),是电压放大倍数最小的电路.电压放大倍数小于1.
增加集电极的负载电阻同时提高电压.换用HFE更高的晶体管.减小本级负反馈.
你的问题我没有看明白,只能按照两种理解来回答:对于电路上同一测量点来说,或是任意的其他测量中,实测值和理论值产生都会产生偏差,这个偏差与测量设备的精度有关系,也就是存在固有误差.在单管放大电路中,输出
1:稳压二极管按材料分为硅管锗管.(对)2:某晶体管体三极管的IB=10uA时,Ic=0.44mA;当IB=20uA时,Ic=0.29mA则它的电流放大系数β=45(错)3:变压器也能把电压升高,变压
当然是电流Ib控制Ic
BD就正确了再问:B、D?可这是单选啊……再答:单选就选B,多选就可选D,因为基极电流变大时,集电极相应变大,超出饱和区就不变了,再大就可能损坏。
直流放大系数=IC/IB,就是集电极电流除以基极电流(直流电流)当IC=1mA时,对应的IB=10μA,这时的直流电流放大系数=1mA/10μA=100;当IC=2mA时,对应的IB=30μA,这时的
只要发射结正常导通,对于硅管Ube都是0.7.这只是理想的状态.反正接近就对了!
放大倍数不一样偏置电路参数也不一样如果是工作在放大区替换后可能会使模拟失真,如果你是设计电路那就无元所谓,只要你外围元件参数正确就一样能工作!再问:是一个简单的共射极放大电路,不太记得清楚了,是会发生
1、静态时,ui=0,Ee=Ib*R1+Ube+(RW/2+Re)*Ie,因为Ib很小,Ube=0.6——0.7v,RW=100Ω,∴Ee=Ie*Re≈E=15v,Ie=Ie1+Ie2=E/Re=15
1、静态工作点:IB=Ucc/RB=0.05mA,Ic=阝IB=2mA,UCE=Ucc-IcRc=6V;2、电压放大倍数:Au=-阝(RL//Rc)/rbe=-100.
Ube越大,则会使基极和射级之间PN结越薄,随着PN结的电阻变小,从而使Ib变大.
这个问题你放弃好了,把这个看成是元件本身的性质就好了真的要详细理解这个问题,要看半导体物理这样的书,一般就算是电子类专业的人大学生都没学到这样的程度.模电里要求死记硬背的公式就有这一条,就是PN结的电
这个简单,看电容的位置就可以区分出来.从输出耦合电容的位置,可以明显区分出共集电极和共射极电路;如果电容从集电极上引出就是共射极电路;如果是从发射极引出就是共集电极电路;而共基极电路中明显的区别是基极