晶体三极管CS9013的B值-搜答案-神马作文网

1,MOS管损耗比三极管小2,MOS管为电压驱动型,驱动电路比较简单,三极管为电流驱动型3,MOS管的温度特性要比三极管好

这么简单的问题你还在问,从题的意思都看的出来,我告诉你算了.三极管做开关状态的时候分别工作在饱和区和截止区.当工作在开的时候,它就是在饱和区,当工作在关的时候,它就工作在截止区.想也想的到嘛.

晶体三极管的穿透电流的大小随温度的升高而升高,很正确.当前所用晶体三极管都是硅晶体管,锗晶体管都淘汰了,硅晶体管的穿透电流微小得都可以完全忽略不计了,怎么还会有这个问题?如果硅晶体管能测出mA级的穿透

内部条件是基区薄、杂质浓度低,集电区体积大,杂质浓度不高；发射区杂质浓度最高外部条件是发射结正偏,集电结反偏

恒定值只是一个相对区域,根据二极管特性,电流在小点处于截止状态,电流在大点就击穿了

BC正偏,BE反偏只要BE结不击穿,也相当于一个三极管,只是HFE很小,一般小于10.BC正偏,BE正偏分好几种情况,比较复杂,如果仅仅是饱和状态,也分大电流和小电流的情况,基极电压仍有一定的调节能力

截止、放大、饱和三个状态.放大状态常见于线性放大电路.截止、饱和状态常见于开关电路.

晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一,在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示.晶体管是内部含有两个PN结,外部通常为三个引出电极的半导体器件.它对电信号有放大和开关等作

三极管输入特性曲线是反映ib与ube的变化关系,你说的uBE总是在0.7左右,是指在正常的放大状下,但ube可以在0V-0.7V之间变化呀.你强行在uBE两端加上电压2v,那三极管就立即烧坏了,还谈什

晶体管的微变等效原则实质上是将非线性特性（曲线）在很小的范围内（微小的变化）视为线性（直线）的.因为范围很小,所以计算效果相同,而且线性的模型可以很直观的用电阻和受控电流源来绘图表示,直观!具体的等效

输入频率高于三极管的带宽后,输出的波形就会和输入波形产生相位延迟,出现畸变,而且整个电路放大倍数变小甚至衰减.功能异常.

三级管有贴片和插件封装的,从外边看都有三个脚,去百度搜索图片就知道了

我以前就回答过这个问题,见：http://zhidao.baidu.com/question/48028811.html转贴如下：当然不可以了!三极管内部是NPN或PNP的结构,二极管是PN结构,如果

要了解三极管的放大作用就要先对半导体,PN结什么的有一定知识储备,下面默认楼主已经了解.三极管就是由两部分相同类型杂质半导体夹着相反类型的杂质半导体薄层构成.就是NPN或者PNP,下面拿NPN说明.假

放大,ei,ci,bi,

你说的对.一般的三极管放大（共射放大电路,输出信号从集电极引出）,输出信号与输入信号在相位上刚好相差180度.这个问题其实就是三极管的工作原理,属于微电子学的知识（PS:现在的高中居然要学这些,实在搞

选D三极管工作在饱和区时,发射结和集电结都处于正向偏置状态.

放大状态：三极管的PN极只有处在正偏才能正常工作（放大）.但是如果正偏过大,超出三极管的饱和电压,就会出现饱和,失去放大功能.反偏当然不能工作了.截止了.

类似二次曲线Ib=（Ube-0.4）×（Ube-0.4）.

一般晶体三极管是内部含有2个PN结,并且具有放大能力的特殊器件.它分NPN型和PNP型两种类型,这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补,所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用.它可以