当pn结外加正向偏压时势磊区域宽度变窄高度

当二极管加正向电压时,只要所加电压大于PN结导通电压,二极管就导通；当二极管加反向电压时,如果所加电压小于PN结的击穿电压,二极管就截止,当所加

这个问题不用深究,我干了这么多年电子都没用到,你就记住电流只能从P流向N就可以了,别的没有用处.这是模电里面最多余的介绍.

p区PN结外加正向电压的接法是P区接电源的正极,N区接电源的负极.这时外加电压形成电场的方向与自建场的方向相反,从而使阻挡层变窄,扩散作用大于漂移作用,多数载流子向对方区域扩散形成正向电流,方向是从P

电子和电流方向相反,过程可以这样描述：电子先进入n区,汇合n区自带的电子,在与内电场方向相反的外电场的作用下,打破扩散运动和内电场所构成的原有的动态平衡,一起做扩散运动,穿过pn节这个空乏区,扩散进p

平衡状态下的PN结中扩散电流与漂移电流相等,加正向偏压后,正向电压落在空间电荷区并与空间电荷区自建电场的电压方向相反,等于削弱了自建电场,空间电荷区势垒降低,扩散电流超过了漂移电流,使PN结导通.随着

电子导电的N型与空穴导电的P型半导体结合面,叫做PN结,由于N型半导体是电子导电,而电源的电子是从负极向正极流动,所以正极接P,负极接N,PN结导通,电流会形成回路,称结外加正向电压.可以用形象记忆法

光电效应跟加正向电压有必然联系吗?加正向电压会在PN结内部产生电场,扩散运动被加强从而使PN结内部的漂移运动小于扩散运动,使电子从N区移动到P区,光电效应是由于n区杂志吸收了光子,从而电离出更多的电子

因为PN结的内电场是靠近P区积累负电荷,靠近N区积累正电荷.当加正向电压时,即P区加正,N区加负,在电场力的作用下,有利于P区的多子——空穴,向N区方向移动,使P区的负电荷层靠近P区的部分重新获得空穴

所谓的空穴,只是在p型材料中表示电子行为的一种人造概念.pn结正偏时,当PN结即将接触时,还没有形成空间电荷层,在P型半导体中的多子为Ph,少

这个问题具有深刻的物理意义；与许多基本概念有关：pn结势垒的高度和宽度,大注入状态,双极导电等.当正偏电压使得pn结势垒的高度降低到0以后,势垒宽度也相应地减薄为0,即总的势垒消失.这时,实际上有大量

摘抄如下：正偏时,空间电荷区变窄,电位壁垒随之降低,将有利于多数载流子的扩散运动,而不利于少数载流子的漂移运动.因此,扩散电流将大大超过漂移电流.反偏时,空间电荷区变宽,电位壁垒随之升高,将有利于少数

费米能级是反应体系整体失去电子的难易程度吧,既然是反应整个体系,整个体系的费米能级当然处处相等了,具体记不清了,太久没学了了,想知道这个去看看功函数就明白了!

无论PN节加什么偏压,载流子都要参与漂移运动和扩散运动,只是看哪种运动占主导.当PN节加正向偏压时,P正N负,耗尽层减小,N区的电子在电场作用下漂移到P区,P区的空穴漂移到N区.同时,由于P区的空穴浓

1.正偏反偏说的是接入电压的方向正负.比如NPN,be极都是正偏,c极反偏.be就得接入正电压,c接入负电压.2.三极管有三种接法,共基极、共射级、共集电极三种接法.只有共集电极接法能够放大,共基极和

PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层将变窄

PN结并未变薄,但空间电荷区变窄.正向电压产生的电场削弱PN结空间电荷区电场,导致空间电荷区变窄.

是由于电子和空穴的扩散作用,P区的空穴和N区的电子相互扩散.因为失去正电荷空穴,P区为负,因为失去负电荷电子,N区为正.所以在PN结处的内电场是由正指向负,也就是由N指向P；如果在PN结外加正电压,外

很小,导通,很大,截止

施加稳定的外加电压,pn结的状态也是稳定的,耗尽区宽度稳定在一个值,不会出现内部的空穴,电子随时间一直不断减少的情况,这是因为,pn结所连接的外部电路（电源）会源源不断补充载流子,这最终达到的是一个动

当二极管加正向电压时,只要所加电压大于PN结导通电压,二极管就导通；当二极管加反向电压时,如果所加电压小于PN结的击穿电压,二极管就截止,当所加电压达到PN结的击穿电压或略大一些,二极管发生雪崩式反向