已知ui6sinwtv硅二极管的正向压降为0.7v

请注意二极管的正向特性,硅二极管的导通电压一般是0.7V,而不是0.5V,所以,DC0.5V的电源电压不能使二极管完全导通,最多是微导通.在微导通时,二极管的电压与通过的电流近似正比关系,即电流小,压

TA75458是双运算放大器,A1和A2是它的两个运算单元.2SC1815是NPN型硅三极管.6.2V那个元件是稳压二极管,输出电压为6.2伏.12V当然是直流了,前面的“+”号就表示电源的正极.看来

光敏二极管是对光敏感,也就是说在有光照和无光照时二极管的反向电阻不一样.硅光电池是有光照就产生电势差,可以输出一定的电能

先假设二极管反向截止,则：Va=10*2000/(2000+500)=8V,Va-0.7V=7.3V＞6V,二极管会导通,则：A点电位被二极管钳位在6.7V.Va=6.7V.再问：下电阻应该是（10-

一般来说由于硅管的伏安特性曲线在0.7处很陡,也就是说继续增加正向电压会产生很大的电流,换句话说在0.7V左右,随着电流的增加,电压的增加幅度很小,仍然可以认为压降还是0.7V.因为有0.7V的压降,

整流二极管,1A/600V.再问：600V是反相耐压吗再答：是的，是反相耐压

硅材料二极管:导通电压约0.5~0.7V,温度升高后正向压降降低,反向电流增加.锗材料二极管:导通电压约0.1~0.3V,温度升高后正向压降降低,反向电流增加.二极管主要功能是其单向导通.有高低频之分

锗二极管导通电压为0.1V-0.3V,一般取0.2V,死区电压为0.1V左右；硅二极管导通电压为0.5V-0.8V,一般取0.7V,死区电压为0.5V左右.——以上出自《模拟电子技术》故填CDAB

700欧姆是静态电阻,动态电阻算法如下：r=vT/ID,ID为静态电流,VT=kT/q称为温度的电压当量,k为玻耳兹曼常数,q为电子电荷量,T为热力学温度.对于室温（相当T=300K）,则有VT=26

硅二极管一般正向压降为0.7V,04V无法导通所以选B再问：把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（）A基本正常。B将被击穿。C基本烧坏。D电流

通常在微安级.1N4007实际测量结果在20～300微安之间.这项指标的名称应该是反向重复电流,试验条件是：二极管施加1000V反向重复峰值电压,测量其峰值电流值.

其实主要就是开启（开门）电压大小的差别（硅的开启电压0.7v左右,锗的开启电压0.2v）其他基本一样的.说白些,就硅需要0.7v左右的导通电压或说导通后有0.7v电压降.

二极管是一种非线性元件,在没有达到起始导通电压时相当于关断的,超过起始导通电压后电流将急剧上升,对于硅二极管,两端的压降将是0.7V左右,电源电压除了在二极管上的0.7V将全部加在负载上.再问：我问的

截止.因为电池的正极接至二极管D的负极,电池的负极接至二极管D的正极,所以二极管的正负极之间是负电压,所以无法导通.UAO=4V.

一楼的那位很详细但是却没有答到点子上在电路中的开关二极管主要起到一个高速开关的作用因其正向导通时间快反向恢复时间短再问：正向是开关？反向是通的？再问：正向通？再问：反向不通？再问：恢复是何意思？再问：

二极管在正向电压高于0.5V左右时开始有电流流过,随着正向电压继续增高,导通程度也急剧增高,但不是线性关系（可以从二极管的伏安特性曲线图中看到）.当普通二极管和电阻串联的时候,当总电压小于0.5V时所

C

你的问题怎么不清楚,不知道你问的是什么.锗二极管开启电压是0.2-0.3V硅二极管开启电压是0.5-07V

如果规定O点电位为零：UO=0那么：UP=-4VUQ=-6V由于UP＞UQ（P点电位高于Q点电位,二极管V截止,R中无电流,UA=UP=-4VUAO=UA-UO=-4V

硅管正向压降一般认为是0.7V,锗管则是0.3V如果二极管接反了,处于截止,两端电压等于电源电压（只要还没被击穿）还有什么疑问吗?