如图所示,在磁感应强度为B,方向竖直向下的匀强磁场中,方有一边长

（1）设带电粒子的质量为m，电量为q，粒子在磁场中受到的洛伦兹力提供圆周运动的向心力，设圆周运动的半径为r，由牛顿第二定律得：qvB=mv2r…①粒子能打在挡板上的临界情形如图a所示，所以粒子不打在挡

考点：磁通量是标量,其正负只是表示了磁场的方向图示位置穿过框架的磁通量为BS,若从图示位置转过90°,则磁场B的方向与S面平行,则穿过框架平面的磁通量为0,而这两次的变化量应为BS-0=BS;若从图示

l;/l;再问：如图所示，在x轴上方有磁感应强度为B、方向垂直纸面向里的匀强磁场，x轴下方有电场E、方向竖直向下的匀强磁场，现有一质量为m、电量为q的离子从y轴上某一点由静止开始释放，重力忽略不计，为

直径是圆的最大弦；同一圆中大弦对应大的圆心角,磁场圆的半径0.03,轨迹圆的半径是0.06,粒子从直径的一端进入从同一直径的另一端射出,可以得到一个正三角形,六分之一周期

你的问法是不是错了?

由图示可知，正三角形金属框的有效长度是0，由F=BILsinθ可知，导线框受到的安培力为零；故选A．

滑块受四个力,重力、垂直斜面向上的支持力、垂直斜面向下的洛伦滋力(开始时没有,因速度为零),沿斜面向上的摩擦力.向下运动,速度增加,洛伦滋力增加,导致支持力增加,从而使摩擦力增加,则加速度减小,最后加

上下两个过程都是安培力做负功,当然最后的速度要小于刚开始的速度,A错同理上行过程的速度大,电流也就大,B错同样,与下行相比,任何位置上行的速度都大,当然发热量就多,C对,上行合外力安培力加重力下午合外

A、当ab边刚越过GH进入磁场Ⅰ区时，线框所受的安培力大小为F1=BI1L，I1=BLv1R，得F1=B2L2v1R．由于线框匀速运动，则有mgsinθ=F1，得mgsinθ=B2L2v1R 

请把题目补充完整具体是要求什么?根据你现在提供的题意,可以列出2个等式mg=qE（重力平衡电场力）,洛伦兹力提供向心力,F向=(m*v^2)/R=qvB根据我的推测,这道题是不是要求液滴的运动速度大小

由法拉第电磁感应定律：线框切割磁感线产生的电动势E=BLV线框中电流I=E/R在磁场中线框所受安培力F安=B²L²V/R由平衡条件得F=F安∴F=B²L²V/R

qub=mu∧2/r所以u=qubr/m=√3qubr/m

如图所示

A、若电子从P点出发恰好经原点O第一次射出磁场分界线，则有运动轨迹如图所示，则微粒运动的路程为圆周的14，即为πL2，故A正确；B、若电子从P点出发经原点O到达Q点，运动轨迹可能如图所示，或者是：因此

1.磁通量变化率=(B2-B1)*s*n/t=0.2*0.2*100=4磁通量变化率和感应电动势是一回事2你没说ab两点是什么.如果你是问路端电压,那么Uab=E*(R1/R1+R2)=4*(6/10

（1）离子在电场中时，水平方向：x=v0t…①竖直方向：L=12•qEm•t2…②联立①②的：x=v02mLqE（2）若离子经O点射入磁场时的速度为2v0，设进入磁场时的速度与x轴方向夹角为θ，则：c

上菁优网,那上有答案再问：我也有答案，但是没解析再答：哪里就有解析

(1)粒子在磁场中做圆周运动,半径R=mv0/qB,从A向左转5π/4,到X轴上C点C点坐标Xc=-R(1+cos45°)(2)粒子从C点进入电场,在电场中沿电场线,以加速度a=qE/m做直线运动,由

(1)电子：速度改变30º,则射出时的半径与射入时半径夹角也为30º.由几何关系知,d=Rsin30º=0.5R,解得R=2d由于洛伦兹力提供向心力,由牛顿第二定律知qv

T=2πm/qBR=mυ0/qBt=(2π–2A)T/2π=2(π–A)m/qBx=2RsinA=2mυ0sinA/qB所以选C