如何从三极管的输出特性曲线上测得电流放大系数

VCC值在设计中是已知的,所以在横轴上就有了一个点,同理Ics在三极管设计中,允许的最大电流也是已知的,所以在纵轴又就有了一个点,这两点连线,就是你想要的图了.再问：额你的意思是我所说的在纵轴上的那个

用multisim10也是可以的,只要把Ib取样出来,用双踪示波器分别显示Ib和Ube就可以了.图中A通道是Ib的取样电压,取样电阻是1K,500mV/div相当于500uA/div；B通道显示的是-

三极管分析一定要知道何为本何谓末,不能本末倒置,一片混战.iCE=Beta*iBE,这里iBE是本;iBE=uBE/rBE,这里PN节的rBE是本.

在集电结,发射结同时加正向电压,就能达到令晶体管工作在饱和区.是真的,这是三极管饱和的特点所致,当Uce=Ube时,称为"临界饱和;当Uce小于Ube时,称为"饱和";三极管饱和时,集电结,发射结都处

您似乎走错了方向,我们使用三极管就是了解三级管的一般特性,它的工作点,及其一些高频响应!能达到300v击穿的三级管没有几个的；

饱和区是很大的,只要饱和时Ic要小于βIb,可以无限大的,当然也不能超出最大IC值,不然三极管会烧的.饱和情况下,集电极回路阻抗变化,电流变化是对的.因饱和时,三极管VCE只是相当于一个二极管,是有一

这个稍微麻烦点,首先做个电路,给三极管基极电源和集电极电源,利用DC扫描功能,先扫描VBE,输出IB,第二扫描源设为VCE,每扫一步VCE,VBE扫一周.最后,将输出曲线的纵坐标的最大值设为比如1mA

三极管的主要特点是具有电流放大功能,以共发射极接法为例（信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地）,当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流IB的控制,集电极电流

这个图怎么回事?Q1、Q2组成多谐振荡器应该可以正常工作.Q4、Q5是个自锁电路,由14点由高电位转低电位时使Q3饱和导通触发Q4、Q5自销,但自锁后无关断电路.当Q3截止时,只要Q5的放大倍数大于1

C,每条曲线对应的就是一个Ib,输出特性曲线就是在Ib为常数的条件下,Ic,UCE的关系.

Y轴插件部分（1）显示方式选择开关用以转换两个Y轴前置放大器YA与YB工作状态的控制件,具有五种不同作用的显示方式：“交替”：当显示方式开关置于“交替”时,电子开关受扫描信号控制转换,每次扫描都轮流接

这是共发射极输出特性曲线,是三极管最常用的放大工作状态,也最能体现三极管的性能.共基极和共集电极有各自的输出特性曲线,但用的相对少.

模拟电路工作在三极管的放大区,而数字电路一般工作在三极管的饱和区和截止区再问：谢谢，不过能解释一下数字电路为什么工作在饱和区和截止区吗，我目前只学过模拟电路~再答：数字电路只关心高低电平，也就是"0"

5,1）IB相同时,图a的IC都小于图b的,又因电流放大系数β=IC/IB,所以图b的电流放大系数大.2）图a的ICE01小于图b的ICE02,故图a三极管的热稳定性好.6,1,IC=5.5mA2,I

晶体三极管输入特性曲线在工程上计算直流阻抗意义不大,即不到导通点电流很小过了该点上升非常之快,交流阻抗26/ie(mv、ma)×β再问：那它的规律是什么？再答：我全说了啊不知您指的规律是什么？再加上一

到百度文库搜一下,有很详细的解释.http://wenku.baidu.com/view/1d556b0d763231126edb11a5.html再问：你是如何理解这个PPT的？测量过程是在改变VC

因为VBE加在三极管的基极与发射极之间的PN结即发射结上该PN结就相当于一只二极管因此三极管的输入特性曲线与二极管的伏安特性曲线很相似.满意请采纳

UBE随温度变化的规律与二极管正向导通电压一样,即：温度每升高1℃,UBE减小2～2.5mV.而IB基本不变,所以输入特性曲线随温度升高向左移.

截止区：由于发射结反偏,发射区不能发射电子,自然没有电流形成,三极管截止；放大区：发射结正偏,发射区发射电子形成Ie,其中一部分被基区空穴复合形成Ib,由于集电结反偏,剩下的电子被集电区收集形成Ic.

I(b)和U(CE)并没有直接的关系,I(c)可以看作由I(b)和U(CE)共同决定的二元函数.不妨设NPN三极管集射饱和压降为U(CES),当U(CE)U(CES)时,I(c)=?b).还有什么疑问