大电容过滤高频

这跟电路的实际需要是有关的.大电容,一般是电解电容,容量大,频率低,适合于低频电路.它的特性就是阻断直流,通过交流.小电容,一般的都是高频电容,容量小,高频损耗小,适合于高频电路.其实,根本的原因是电

电容的基本功能是隔直流通交流.电容的容量越大,能通过的交流频率越低.用于直流输出的滤波电容用到几千微法也有；用于高频旁路的只用几百微微法的就可以了.容量越小,频率低的越难通过.

理论上电容越大阻抗越小,频率越高越容易通过.理论是没错,（低频通不过小电容）--不是绝对通不过只是阻抗较大不容易通过(高频能不过大电容)理论上大电容高频更容易通过,只不过由于大电容制造工艺所限,一般都

容抗等于1//2派F*容量,所以,同阻抗下,频率越高,容量可以越小.另外就是对脉冲电路中,因为电容是充电后保持电压缓慢放电,负载电流越大,容量就要越大,经验是,音频信号耦合是在1U以下,高频调制在1n

电容是有将交流信号短路入地的功能,但不要忘了它还有充放电的功能呀,积微分电路就是利用不同阻值的电阻和不同容量的电容组成的对不同频率的通过和产生的电路,所以根据电容对电阻的充放电的时间,对相应的频率进行

电容的特性是正半周时充电,负半周时放电,高频信号频率较高,它会在负半周时没等电压放完,正半周又到来开始充电.电容容量过大,将在电容上聚集很高的电压或杂波,根本滤不下去,将传到后级形成干扰.所以只有小容

容抗=1/（jwc）=1/（j2πfc）,高频电流f很大,所以容抗接近于0,电流当然从总阻抗较小的地方走.而低频电流由于电容的相对容抗大,就相当于断路了.如果旁路既有阻抗又有容抗的话,我认为高频电流旁

滤波电容的容抗算法：Xc=1/2πfC,可以根据Xc的值来计算,这不是个定值,因为Xc随着频率的变化而变化,如果是单个电容作用,那么根据上式可以分析：式中1/2πC是个定值设它为A,那么Xc=1/2π

你都把公式写出来了.公式是对的.你的问题是不是把别人的表述理解错了?一般的表述是：对高频信号,用小容量的电容就可以得到小的容抗；对低频信号,要用大的电容量才能得到小的容抗；对吧.

因为容抗Xc＝1/2*3.14*f*C式中f很高（数字很大）无论电容为何值,Xc都接近于零,所以有小电容就足够了.

容抗用XC表示,电容用C（F）表示,频率用f（Hz)表示,那么Xc=1/2πfc容抗的单位是欧.感抗用XL表示,电感用L（H）表示,频率用f（Hz)表示,那么XL=2πfL感抗的单位是欧.知道这两个公

提供高频旁路,用于开关电源的输入滤波.小电容为无极性电容,作用是吸收开关电路工作时产生的高频.如果没有会引起大电解电容发热,而且电解电容的两端会有较高的高频噪声.因为电解电容的电感较大,不利于高频流过

是越小,电容器对交流电的阻碍作用,用容抗表示为Xc=1/2πfCf为交流电频率,C为电容容量.相同频率f时,电容C越大,容抗Xc越小,对交流电的阻碍程度越小.不妨这样理电容容量越大,充电的速度越慢,越

震荡、旁路、反馈、交联（隔直）、滤波等.

电感：通低频阻高频,通直流阻交流；电容：通高频阻低阻,通交流隔直流.Xc=(2*pie*f*C)^-1,XL=2*pie*f*L,由公式看容抗通低频阻高频,感抗相反,如将两者组合可变成仅某频带通.

因为电容中,介质内部的（原子核最外层）电子,在平衡位置就像悠秋千似的.频率越高,作用在电子的时间越短,这样只要有一点（一点）能量,就会像秋千一样的使电子产生往返运动.而频率越低,作用在电子的时间越长,

二极管反向的时候,PN是不导电的,而PN结两边的N区和P区是导电的,这样两个导电区就成了电容的两个电极,PN结就成了介电材料.三极管的PN结电容效应原理和二极管是一样的.PN结的电容效应将导致反向时交

控制位置的电容（如Ct）需要注意频率、材质、温度稳定性以及其他特殊要求.安规电容注意安规要求滤波电容注意频率、耐压、热稳定性、等效串联电阻以及寿命（开关电源寿命有绝大部分原因由电容决定）其他电容要根据

这句话不对.在电容一定的情况下,频率越高,越容易通过.在频率一定的情况下,电容越大,越容易通过.

电容对电流的作用更取决于频率的大小,与电容大小无关,电容的大小只是说明这个电容器的容量的大小,你后面说的太乱,没看明白,反正你这句话是不对的,理论上来说,低频是不通过电容的,而频率越高通过的越顺利,说