神马作文网在杂质半导体中,温度变化时,载流子的变化情况
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/11/11 04:27:37
纯净的半导体就是本征半导体,在元素周期表中它们一般都是中价元素.而杂质半导体是指在本征半导体中按极小的比例掺入高一价或低一价的杂质元素之后便获得杂质半导体.两者有本质的区别.
既降低了半导体的电阻的方法是没有本质的不同,增加载流子的数目,但1.混入杂质,如果它是一个三价元素,是形成一个P-型半导体时,只的空穴载流子的数量增加,如果它是一个五价元素,是N-型半导体的形成,只是
按照常规,一般是按百万分之一数量级的比例掺入.这样对半导体的性能会产生很大影响.
如果考试你就填减小,是负温度系数,其实不一定的.再问：题中只提到R2为用半导体热敏材料制成的传感器，和R2处发生火警，应该怎么判断？再答：你是考生么？我不知道什么题目，但是大学之前一般都只是考虑空穴效
选取3价元素,例如：硼,铝,镓,铟；
理解的有一定的深度,空穴是不同原子间形成共价键.共价键使不同原子公用电子,达到最外层八个电子的稳定结构,如果还有原子剩余电子,则该电子自由.于是材料靠电子导电,即为N型.否则电子不足,照样共价后,便在
1）首先要选择什么杂质-如果要掺杂成P型半导体可以选择B和BF和In.-B是最常用的-In和BF的质量比较大,适合于浅掺杂-BF中的F可能对HCI或者NBTI
如果是纯半导体,则其电阻率随温度升高而单调下降（因为T升高,本征载流子浓度上升,电阻率下降）.\x0d如果是掺杂半导体,这个过程比较复杂,先下降,后上升,最后再下降.
D.5价磷、砷、锑、铋等比碳硅多电子的元素,这些元素在碳硅中成键只需四个电子,多余电子可自由移动,由于是电子（negative)导电,故称N型杂质半导体.
根据物理上的需要往纯的半导体中掺入所需的元素
你把完整的话写下来杂质吸收是杂质吸收光波之类的东西吧,半导体物理里面啥地方出现这个概念了?再问：我找不到这才在网上寻找高人么，今年考研，不是应届，也没个老师问。我再找找提交追问吧
如果是纯半导体,则其电阻率随温度升高而单调下降（因为T升高,本征载流子浓度上升,电阻率下降）.sssss
半导体中掺入微量杂质时,杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态,在禁带中产加的杂质能级.杂质能级位于禁带上方靠近导带底附近.杂质能级上的电子很易激发到导带成为电子载流子.这种能提供电子载流
在掺在浓度较低时,电子迁移率随温度的升高迅速减小,此时晶格散射其主要作用；当杂质浓度增加,迁移率下降趋势就不太显著,说明杂质散射机构的影响在增加；当掺杂浓度很高时候,在低温范围,随温度的升高,电子迁移
一般半导体导电性都会随温度升高而显著增强,这是因为提高温度,会有多得多的价带电子获得能量而到达导带.
1)本征半导体是一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体.绝对零度时价带被价电子填满,导带是空的.2)随着温度的升高,本征载流子浓度迅速地增加,在本征时器件不能稳定工作.而对于掺杂半导体,室温附近载流子主
按照杂质在半导体材料中的行为可分为施主杂质、受主杂质和电中性杂质.按照杂质电离能的大小可分为浅能级杂质和深能级杂质.浅能级杂质对半导体材料导电性质影响大,而深能级杂质对少数载流子的复合影响更显著.氧、
有本质的区别,掺入杂质通常是掺入三价或五价的物质,使半导体的空穴或电子增多,有利导电；而提高温度是为了使半导体中原子的外层电子更活跃而离开原子核的约束成为自由电子和空穴.但共同点都是通过移动的电子和空
这两种减小半导体电阻的方法没有本质上的区别,都是增加载流子的数量,但1.掺入杂质如果是三价的元素,则是形成P型半导体,只增加空穴载流子的数量；如果是五价的元素,则是形成N型半导体,只增加电子载流子的数