发射结处于反向偏置的晶体三极管一定工作在饱和状态-搜答案-神马作文网

发射结正向偏置,集电结也正向偏置：饱和状态（集电极电流不受基极控制,只与发射极与集电极电压大小有关）.发射结反向偏置,集电结正向偏置：应该是放大状态（从材料NPN,PNP上看,是对称的,所以发射结反向

所谓反向电压是根据P--N结的方向来的.P端的电动势高于B端,就是正向电压,反之称为反向电压.再问：什么B端，哪里来的B端再答：纠正一下打错了，是N端。键盘上N和B靠的太近啦！

首先要知道：保证管子能正常工作的前题是BE结加正向电压BC结加反向电压,然后1.发射区向基区扩散电子,2.电子在基区边界扩散与复合,空穴由外电源补充,维持电流.3.电子被集电极收集.改变基极电流就可以

晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一,在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示.晶体管是内部含有两个PN结,外部通常为三个引出电极的半导体器件.它对电信号有放大和开关等作

集电结反偏应该是截止状态啊.怎么会是放大状态再问：有相关的文档吗再答：。。任何一本模电书都有讲。或者你百度一下三极管的工作状态。百度文库第一篇就有再答：。。。不过。我刚刚看了一下我好像记错了。再问：哦

多子和少子都是指载流子.在P型半导体材料中,空穴多,自由电子少,空穴是多子自由电子是少子；在N型半导体中正好相反,自由电子是多子,空穴是少子.也有说成“多数子、少数子”的,还有叫做“多数载流子、少数载

放大,ei,ci,bi,

摘抄如下：正偏时,空间电荷区变窄,电位壁垒随之降低,将有利于多数载流子的扩散运动,而不利于少数载流子的漂移运动.因此,扩散电流将大大超过漂移电流.反偏时,空间电荷区变宽,电位壁垒随之升高,将有利于少数

因为这时有外加电压使PN结中的空穴和电子定向移动,就向导体中的自由电子永远和导体中的之子量相等,只不过有后续补充,对导体断电后,电流立即消失,永远呈中性.一般硅结为0.6~0.7V,锗结为0.2~0.

选D三极管工作在饱和区时,发射结和集电结都处于正向偏置状态.

放大状态：三极管的PN极只有处在正偏才能正常工作（放大）.但是如果正偏过大,超出三极管的饱和电压,就会出现饱和,失去放大功能.反偏当然不能工作了.截止了.

处于放大状态的三极管发射结正向偏置,集电结一定是反向偏置的

晶体管工作在放大区的工作要求是:发射结正偏,集电结反偏

在二极管两端加上正向偏置时,将电源的正极与（P）区相接将电源的负极与（N）区相接时二极管（正）偏,处于（导通）状态加反向偏置时,处于（截止）状态.

1.正向电压加在PN结上,PN结导通,反向电压加上后,PN结截止；2.二极管的基本结构也是一个PN结,存在导通电压的问题,即正向电压大于一个值的时候才会导通,否则就截止,一般硅二极管为0.7V,锗二极

一个PN结就是二级管,正向偏置就是万用表测两次,其中一次电阻较小的是正向偏置,反之就是反向偏置.

晶体三极管具有电流放大作用的条件是发射结__正向偏置__,集电结__反向偏置___,即__基极__极电流能控制_集电极_极电流

很小,导通,很大,截止

这是PN结的单向导电性.当PN结正向偏置时,电阻很小,处于导通状态；当PN结反向偏置时,电阻很大,处于截止状态.所以这句话是对的.再问：很小和小，很大和大有区别吗再答：基本没区别。。。

P端所加电压比N端高且要高与死区电压则为正向偏置,N端所加电压比P端高,在保证不击穿的情况下为反向偏置,单向导电为只有正向偏置的时候导通!

发射结处于反向偏置的晶体三极管 一定工作在饱和状态