半导体硅空穴和电子移动方向是否相同-搜答案-神马作文网

空穴是电子空穴,电子带负电,原子核带正电,电子跑了,正负电荷不再相等.就相当于带了正电.你指的是金属导体吧?金属根本没有失去电子,只是电子运动范围扩大而已,对于整块金属,正负电荷还是相等的.而且请注意

这应该是跟他们的带电性相关的,电子带负电（negative）,所以用N表示,空穴带正电（positive）,所以用P表示.

你思考了许多问题,解决之后就都清楚了.请搜索“pn结耗尽层”和“pn结势垒”这两个词条,先把pn结的基本概念弄清楚,然后再考虑pn结单向导电的基本原理,问题就明白了.

原电池和电解池中,电子不能移动,电子只在外电路的导体中做定向移动.阴离子会在电场作用下做定向移动,在电解液中,阴离子的移动方向是阳极（原电池、电解池都一样）,用正负极描述有区别,在原电池中是负极,在电

请参看大学里的模电课本,很详细.我只能说,电子和空穴超相反方向运动

1-电流的方向是正电荷移动的方向,这是电子学的规定2-正电荷不移动3-负电荷（自由电子）移动4-负电荷移动后,正电荷在原地不动

电子和空穴的运动其实都是电子在运动,空穴的运动其实就是和电子的相对运动和电流类似,就空穴来说,我们说的空穴的运动就是电子反方向运动的结果区别就在于,谁是多出来的,多出来的是电子么,就是电子流了,多出来

在常温下纯净的半导体是不导电的,因为半导体跟绝缘体一样都是空导带满价带的,但是由于其带隙比较下,因此通过加热或者掺杂可以使价带电子跃迁到导带上而可以移动,发生导电的现象.至于空穴,就是价带电子激发去了

positive正的,因为空穴是正电荷导电negitive负的,因为电子是负电荷导电

所谓的空穴,只是在p型材料中表示电子行为的一种人造概念.pn结正偏时,当PN结即将接触时,还没有形成空间电荷层,在P型半导体中的多子为Ph,少

你好.PN结形成的空间电荷区是在扩散运动过程中形成,由于两边空穴和电子复合,形成中间PN结没有了载流子,只剩下PN自身的固定正负离子,也就形成了空间电荷区,内电场.内电场在扩散中越来越大,大到一定程度

空穴是一种等效,当价带中的电子被激发到导带以后,价带中的电流可以用空穴载流子的运动来等效,所以不存在空穴跳出半导体的情形.简单来说,当存在电流时,负电极一定会向半导体注入电子,移动到负极的空穴能够被从

对外不显电性,P型半导体N型半导体都不带电,都是电中性的,

自己的话导体,一般指金属,其在常温下的金属晶体结构与晶体硅等半导体是大不相同的,虽然名义上金属在非化合态的时候电子轨道最外层也有1-4个电子在围绕原子核高速旋转,看起来是受原子核严密控制的,但实际上金

空、相同.

因为一个空穴的运动是代表了价带中一大群价电子的相继运动,空穴不像导电电子那么自由,所以空穴的有效质量较大,相应的迁移率也就较低.

首先,电子在半导体中的能级是准连续的,可以近似认为是一簇一簇距离非常近的能级构成--这每一簇能级就是能带,能带和能带之间是有相对较大的能量差的,之间这段距离称为能隙（禁带）.而电子在金属中的能带结构简

物理学规定正电荷的运动方向为电流的方向.（人为规定的,当然也可以规定负电荷的运动方向为电流的方向,只是当时选择了正电荷而已,这不是客观规律.）电子的方向并不是人为规定的,而是客观现象.想想电子是一个小

我们目前的知识体系规定,电流方向是电子运动的反方向.随着人们的认知进步,可能在若干年后会有其他的规定也说不准哦!

会复合的,但是在没有外界注入的条件下,这个量很小.至于发光就跟能带结构有关,这种情况下能量一般传给晶格了~或者说是传递给声子了~