神马作文网半导体光电效应与光强和光频率的关系是什么
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/11/19 17:15:03
最大初动能只与入射光的频率有关,与光的强度无关!
量子论的内容.光电效应的发生必须使得光子能量大于或等于逸出功,才能有光电效应的产生.而光子能量与频率有关系,所以满足hf>=W,W是逸出功.
光电效应是电子受到能量的激发而脱离原子核束缚逸出.从原子核束缚的状态下到脱离原子核跑到自由空间所需要的功是逸出功.电子所能吸收的能量是E=hυ,其中υ是辐射波的频率.E大于逸出功就可以使电子摆脱原子核
入射光的频率越大,其产生的光电子的初动能也越高.由E=hv可得：当光的频率越高时,则光子的能量也越高.光子被原子吸收时,由hv=Ek+W得：因为W是逸出功,对于一定的金属来说是定值,光电子的初动能Ek
光强=nhv n光子数频率高 n小一个光子 只能打出一个电子 n=n' 电子数n'小
光强为I,v表示光的频率,A为照射区域面积,N为时间间隔t内照到A上的光子总数,公式I=Nhv/At发射电子的能量取决于光的波长而与光强度无关.当条件全部满足光电效应,如果不深入讨论,那么,按理来说因
不能产生.光电子的逃逸需要克服逸出功.所以照射光频率需要大于金属的极限频率,以获得足够的能量.而整个过程是瞬时的,与光照时长无关.
我觉得就像:河的这头有10只船(每只船只能承载一个客人),不管有多少人要度过河,其在同一时间最大的度河流量也只有10人啊.这应该就是饱和电流的意义吧...0而这船就是频率拉!你说当达到极限频率后,产生
光的频率,可以使用光谱仪测
入射光频率决定了金属能否发生光电效应及光电效应逸出的光电子的最大处动能但是入射光的频率越大,光子能量越高,可以使金属内部更靠里的原本不能逸出的电子也吸收到足够多的能量逸出,确实会使逸出的光电子数增多.
光强代表的是总能量,频率越大,单个光子能量越大,则光子数越少,打出来的光电子也越少,所以饱和电流会减小.,
光电子数目应该与频率无关,只与单位入射光子数目有关
你指的光电效应是什么?是爱伊斯坦光电效应吗?如果是大学课程的话,光电效应包含光伏效应.光电效应后很多种,按照是否发射电子,光电效应分为内光电效应和外光电效应,内光电效应包括光电导效应、光伏效应、光子牵
与光强、加速电压、阴极的面积有关,与频率无关
应该不对,Ekm=hv-w,h为普朗克常量=6.63*10的-34次方J.s,v为照射光的频率,w为照射金属的逸出功,因此要强调照射同一块金属
当光强一定时,光电效应中饱和光电流与入射光频率的关系是：既不是正比也不是反比,即使控制变量光强也不是,比如某种光不能产生光电效应,频率增加了有了光电流,说正比不对,更不是反比,可以针对某种金属研究其光
“光强越强,光子能量越大,所以光子频率越大”是不对的光强大,说明单位面积上的光子数多,光子的频率不一定高.根据e×Uc=Ekm=hv-W,入射光频率越大,所需的遏止电压Uc也越大再问：【光电流强度(光
饱和电流和入射光的频率没有关系.饱和电流和入射光的强度有关系,入射光强度越大,饱和电流越大.再问：光电效应为什么是瞬时发生的呢？再答：因为电子吸收光子的能量是一份全部吸收就够逸出了，不需要能量积累过程
光电效应是电子受到能量的激发而脱离原子核束缚逸出.从原子核束缚的状态下到脱离原子核跑到自由空间所需要的功是逸出功.电子所能吸收的能量是E=hυ,其中υ是辐射波的频率.E大于逸出功就可以使电子摆脱原子核