神马作文网光强对半导体光电效应的影响
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/09/24 03:22:29
最大初动能只与入射光的频率有关,与光的强度无关!
量子论的内容.光电效应的发生必须使得光子能量大于或等于逸出功,才能有光电效应的产生.而光子能量与频率有关系,所以满足hf>=W,W是逸出功.
不掺杂的半导体为本征半导体,导电依靠受热激发的产生的激发电子和空穴.而掺杂可以在很大程度上提高半导体的导电性.掺杂可分为N型掺杂和P型掺杂.N型掺杂会增加N(电子)导电.P型掺杂增加空穴导电.PN结就
首先爱因斯坦是在普朗克能量量子化假说的基础上提出其光电效应方程：Ek=hv-W0.其次光电效应中每个电子只能吸收一个光子,能量做够大就飞出产生光电效应,否则就不能产生光电效应.而光的连续性不好解释这一
光电效应是电子受到能量的激发而脱离原子核束缚逸出.从原子核束缚的状态下到脱离原子核跑到自由空间所需要的功是逸出功.电子所能吸收的能量是E=hυ,其中υ是辐射波的频率.E大于逸出功就可以使电子摆脱原子核
光强=nhv n光子数频率高 n小一个光子 只能打出一个电子 n=n' 电子数n'小
1、电压放大器提高带负载能力是指电路输出电阻小,引入的是电压负反馈2、温度升高,半导体导电能力增大,电阻减小,（1）对放大倍数β的影响：三极管的β随温度的升高将增大,温度每上升l℃,β值约增大0.1％
光电效应是指金属表面在光辐射作用下发射电子的效应,逸出功什么的也都是不同金属的固有属性,没有什么实际应用;光电导性指一些材料在光照条件下电阻率会发生变化的性质,用于光敏电阻.如果非要找个相同之处的话,
光强为I,v表示光的频率,A为照射区域面积,N为时间间隔t内照到A上的光子总数,公式I=Nhv/At发射电子的能量取决于光的波长而与光强度无关.当条件全部满足光电效应,如果不深入讨论,那么,按理来说因
发生光电效应时，根据爱因斯坦光电效应方程可知，光电子的最大初动能为：Ek=hv-W，W为逸出功，由此可知光电子的最大初动能随着入射光的频率增大而增大，与光照强度无关，故A正确，B错误；光照强度减弱，单
那要看其材料,如：声敏电阻是由声音控制的.
应该没影响,如果背景光是均匀分布的,那相当于在结果上加上一个常数.
光强代表的是总能量,频率越大,单个光子能量越大,则光子数越少,打出来的光电子也越少,所以饱和电流会减小.,
你指的光电效应是什么?是爱伊斯坦光电效应吗?如果是大学课程的话,光电效应包含光伏效应.光电效应后很多种,按照是否发射电子,光电效应分为内光电效应和外光电效应,内光电效应包括光电导效应、光伏效应、光子牵
是的,单个光电子的能量跟光强无关,只跟频率有关,光强关系到逸出光电子的数量.
“光强越强,光子能量越大,所以光子频率越大”是不对的光强大,说明单位面积上的光子数多,光子的频率不一定高.根据e×Uc=Ekm=hv-W,入射光频率越大,所需的遏止电压Uc也越大再问：【光电流强度(光
是的,书上有书上《光的粒子性》这章的主要内容就是光电效应康普顿效应第一次从实验上证实了爱因斯坦提出的关于光子具有动量的假设.是光具有粒子性的一个侧面体现.可以说明光具有粒子性
什么样品?光照会使半导体中形成非平衡载流子,载流子浓度增大必使样品电导率增大,由光照引起的半导体电导率增加的效应称为光电导
电流跟光电子的动能有什么关系?什么叫电流?单位时间通过导体横截面的电量!单位时间通过横截面的电子越多,电流强度越大,不是光电子动能越大电流越大.