光刻 为什么用黄光

解题思路：如下解题过程：第一空填interesting，interesting是形容词，有主动意味，意为“有趣的”，作表语时，主语通常是物，题干的主语是Thestory，符合i

光刻工艺主要步骤1.基片前处理为确保光刻胶能和晶圆表面很好粘贴,形成平滑且结合得很好的膜,必须进行表面准备,保持表面干燥且干净,2.涂光刻胶涂胶的目标是在晶圆表面建立薄的、均匀的,并且没有缺陷的光刻胶

刻章机是依靠激光管产生激光,激光携带高温在章料上逐行扫描雕刻,激光刻章机可以在塑料,牛角,有机等硬质材料上雕刻这样的吧科泰刻章机厂家提供

我来打个比方吧：比如说你看集成电路板,上面不是有一条一条金属线么?那个线不是画上去的,是整个刷一层铜到塑料板上,然后上面刷一层蜡,然后你用刀子把没有导线的部分的蜡“刻”下去,然后把这块板子扔到腐蚀液里

1,HMDS是气相涂布在硅片表面,也就是硅片在HMDS的蒸汽中放置一会儿,温度约100-180度即可2,HMDS处理后需要冷却后涂胶,但等待时间不能太长,过长处理效果会变差,建议4小时内完成涂胶3,H

是光刻激光可刻蚀出来的图形最小距离.小于这个距离,就不能清晰的得到你想要的图像.其与光源波长及综合因子k1(基本是常数)正比,与镜头数值孔径的平方成反比.

加仑是个体积单位,不是重量单位　　而且还分英制加仑和美制加仑　　加仑是一种容（体）积单位,英文全称gallon,简写gal,分英制加仑、美制加仑.　　容（体）积换算　　公制中国市制英制美制　　升升英加

桂二沦落人凌晨前来围观

指的是波长,i线是指365nm,g线是指436nm,高压汞灯中能量最高的两个谱线.波长越短,光刻分辨率越高.

这是有历史原因的.早期的光刻胶一般对黄光不敏感,而对其他波长的光比较敏感,因此cleanroom里面的照明一般都是黄光照明,避免了光辐照后可能产生酸或产生交联（和曝光的效果一样,只是剂量少一点）；现在

紫外胶的现在基本都是使用405nm的激光器,焦点做到这么小的话应该需要做成单模光纤耦合的了,镜头主要是根据实际的光斑大小和作用距离来决定的再问：我们现在有款光纤耦合的激光器，光纤直径是2.9um的，现

Lastprocess或者pre-process就可以,上一个步骤.

1.wafer表面处理；2.旋涂光刻胶（包括抗反射层）3.前烘；4.曝光；5.后烘；6.显影,有的需要在显影前进行坚膜；7.刻蚀

当然不同,激光源,激光透镜,激光光路是决定价格的主要因素.ASML是世界上最先进的光刻机公司,先进的型号可制备32nm及以下的制程,是你说的淘宝上微米级不可同日而语的.是飞机与自行车技术含量的对比.再

ZnO氧化锌1.物质的理化常数国标编号----CAS号1314-13-2中文名称氧化锌英文名称Zineoxide；Zinewhite别名锌白；锌氧粉分子式ZnO外观与性状白色六角晶体或粉末,无气味分子

好象只有7个步骤吧,看看这个吧,是PDF文档的,

D高锰酸钾受热分解,生成锰酸钾、二氧化锰和氧气,生成氧气质量比只有氯酸钾增加；二氧化锰可以做氯酸钾分解的催化剂,反应速率加快再问：太给力了，你的回答完美解决了我的问题！

涂胶,曝光,显影.涂胶又分HMDS,Coat,Softbake三步显影分PEB,Develop,Hardbake三步

能腐蚀二氧化硅的常见的有强碱,比如氢氧化钠,还有氢氟酸,氢氟酸的腐蚀效果比强碱好,速度快.至于能不能腐蚀光刻胶,要看具体是什么光刻胶,有的抗强碱腐蚀,有的能抗氢氟酸腐蚀.比如：一种正胶XAR-P310

摘要:对基于SU28胶的UV2LIGA技术进行了工艺优化,研究了光源波长和曝光时间对SU28胶成型的影响.结果表明,光刻胶表面线宽变化随曝光时间增加先减少后增加,有一个极小值;侧壁角度先增加后减少,有